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MBR350	文件：201.14 Kbytes Page：3 Pages	3ASCHOTTKYRECTIFIER 3ASCHOTTKYRECTIFIER AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
MBR350	文件：135.95 Kbytes Page：2 Pages	3.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●HighCurrentCapability ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCurrentCapability ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplications	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
MBR350	文件：168.5 Kbytes Page：6 Pages	AxialLeadRectifiers ThesedevicesemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlap contact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−voltage, high−frequencyinverters,freewhee	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR350F	文件：483.58 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERREVERSEVOLTAGE20VTO200VFORWARDCURRENT3.0A DESCRIPTION The MBR320F~MBR3200Fareavailablein SOD123FLPackage FEATURES PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V 0 Lowpowerloss,highefficiency Foruseinlowvoltagehighfrequencyinverters, freewheeling,andpolarityprotecti	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
MBR350RL	文件：57.32 Kbytes Page：4 Pages	AxialLeadRectifiers ThesedevicesemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−voltage,high−frequencyinverters,freewheeling	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR350RL	文件：59.75 Kbytes Page：4 Pages	AxialLeadRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR350RL	文件：168.5 Kbytes Page：6 Pages	AxialLeadRectifiers ThesedevicesemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlap contact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−voltage, high−frequencyinverters,freewhee	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR350RLG	文件：59.75 Kbytes Page：4 Pages	AxialLeadRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR350RLG	文件：168.5 Kbytes Page：6 Pages	AxialLeadRectifiers ThesedevicesemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlap contact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−voltage, high−frequencyinverters,freewhee	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR350TR	文件：84.26 Kbytes Page：5 Pages	SchottkyRectifier,3A DESCRIPTION TheMBR350,MBR360axialleadedSchottkyrectifierhasbeenoptimizedforverylowforwardvoltagedrop,withmoderateleakage.Typicalapplicationsareinswitchingpowersupplies,converters,freewheelingdiodes,andreversebatteryprotection. FEATURES •Lowprofile,axialleaded	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
MAX350EWN-T
功能描述：
多路器开关 IC
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
1
开关数量：
4
开启电阻（最大值）：
7 Ohms
传播延迟时间：
0.25 ns
工作电源电压：
2.3 V to 3.6 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
UQFN-16

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