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MBR350RLG	文件：168.5 Kbytes Page：6 Pages	AxialLeadRectifiers ThesedevicesemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlap contact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−voltage, high−frequencyinverters,freewhee	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR350TR	文件：84.26 Kbytes Page：5 Pages	SchottkyRectifier,3A DESCRIPTION TheMBR350,MBR360axialleadedSchottkyrectifierhasbeenoptimizedforverylowforwardvoltagedrop,withmoderateleakage.Typicalapplicationsareinswitchingpowersupplies,converters,freewheelingdiodes,andreversebatteryprotection. FEATURES •Lowprofile,axialleaded	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR350TR	文件：120.33 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyRectifier,3A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBRD350	文件：93.53 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODE??PowerRectifirersDPAKSurfaceMountPackage SWITCHMODEPowerRectifiers DPAKSurfaceMountPackage ...designedforuseasoutputrectifiers,freewheeling,protectionandsteeringdiodesinswitchingpowersupplies,invertersandotherinductiveswitchingcircuits.Thesestate–of–the–artdeviceshavethefollowingfeatures: •Extremel	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MBRD350	文件：64.72 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODEPowerRectifiers Thesestate−of−the−artdevicesaredesignedforuseasoutputrectifiers,freewheeling,protectionandsteeringdiodesinswitchingpowersupplies,invertersandotherinductiveswitchingcircuits. Features •ExtremelyFastSwitching •ExtremelyLowForwardDrop •PlatinumBarrierwithAvalan	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRD350	文件：196.93 Kbytes Page：6 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER	SMCSangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd 烧结金属	SMC
MBRD350	文件：318.27 Kbytes Page：4 Pages	MBRD350/MBRD360SCHOTTKYRECTIFIER Features 150℃TJoperation Centertapconfiguration Lowforwardvoltagedrop Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationfor enhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance Highfrequencyoperation Guardringforenhancedruggednessandlongterm reliability “-A”isanAEC-Q101	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
MBRD350/S	文件：54.34 Kbytes Page：4 Pages	3.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER SchottkyBarrierChip GuardRingDieConstructionfor TransientProtection HighSurgeCurrentCapability LowPowerLoss,HighEfficiency IdeallySuitedforAutomaticAssembly ForUseinLowVoltage,HighFrequency Inverters,FreeWheeling,andPolarity ProtectionApplications	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
MBRD350G	文件：140.03 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODEPowerRectifiers Thesestate−of−the−artdevicesaredesignedforuseasoutputrectifiers,freewheeling,protectionandsteeringdiodesinswitchingpowersupplies,invertersandotherinductiveswitchingcircuits. Features •ExtremelyFastSwitching •ExtremelyLowForwardDrop •PlatinumBarrierwithAvalan	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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详细参数

型号：
MAX350EAP-T
功能描述：
多路器开关 IC
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
1
开关数量：
4
开启电阻（最大值）：
7 Ohms
传播延迟时间：
0.25 ns
工作电源电压：
2.3 V to 3.6 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
UQFN-16

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