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MBRD350G	文件：63.35 Kbytes Page：6 Pages	Switch-modePowerRectifiers Thesestate−of−the−artdevicesaredesignedforuseasoutputrectifiers,freewheeling,protectionandsteeringdiodesinswitchingpowersupplies,invertersandotherinductiveswitchingcircuits. Features •ExtremelyFastSwitching •ExtremelyLowForwardDrop •PlatinumBarrierwithAvalan	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRD350G	文件：219.31 Kbytes Page：8 Pages	Switch-modePowerRectifiersDPAKSurfaceMountPackage Thesestate−of−the−artdevicesaredesignedforuseasoutput rectifiers,freewheeling,protectionandsteeringdiodesinswitching powersupplies,invertersandotherinductiveswitchingcircuits. Features •ExtremelyFastSwitching •ExtremelyLowForwardDrop •PlatinumBarrierwithAval	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRD350L	文件：128.65 Kbytes Page：2 Pages	3AmpSchottkyBarrierRectifier20 Features •LowSwitchingNoise •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability •HighSurgeCurrentCapability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MBRD350RL	文件：64.72 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODEPowerRectifiers Thesestate−of−the−artdevicesaredesignedforuseasoutputrectifiers,freewheeling,protectionandsteeringdiodesinswitchingpowersupplies,invertersandotherinductiveswitchingcircuits. Features •ExtremelyFastSwitching •ExtremelyLowForwardDrop •PlatinumBarrierwithAvalan	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRD350RLG	文件：63.35 Kbytes Page：6 Pages	Switch-modePowerRectifiers Thesestate−of−the−artdevicesaredesignedforuseasoutputrectifiers,freewheeling,protectionandsteeringdiodesinswitchingpowersupplies,invertersandotherinductiveswitchingcircuits. Features •ExtremelyFastSwitching •ExtremelyLowForwardDrop •PlatinumBarrierwithAvalan	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRD350RLG	文件：140.03 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODEPowerRectifiers Thesestate−of−the−artdevicesaredesignedforuseasoutputrectifiers,freewheeling,protectionandsteeringdiodesinswitchingpowersupplies,invertersandotherinductiveswitchingcircuits. Features •ExtremelyFastSwitching •ExtremelyLowForwardDrop •PlatinumBarrierwithAvalan	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MBRD350SLASHS	文件：54.34 Kbytes Page：4 Pages	3.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER SchottkyBarrierChip GuardRingDieConstructionfor TransientProtection HighSurgeCurrentCapability LowPowerLoss,HighEfficiency IdeallySuitedforAutomaticAssembly ForUseinLowVoltage,HighFrequency Inverters,FreeWheeling,andPolarity ProtectionApplications	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
MBRS350	文件：535.46 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 Forsurfacemountedapplications Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction Lowpowerloss,highefficiency Built-instrainrelief,idealforautomatedplacement Highforwardsurgecurrentc	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
MBRX350	文件：436.74 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierRectifiers	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN

详细参数

型号：
MAX350EAP+T
功能描述：
多路器开关 IC
4：
1 2Ch Low Voltage MUX
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
1
开关数量：
4
开启电阻（最大值）：
7 Ohms
传播延迟时间：
0.25 ns
工作电源电压：
2.3 V to 3.6 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
UQFN-16

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