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MBR350	文件：70.26 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE40to200VoltCURRENT3Ampere FEATURES •GuardRingDieConstructionforTransientProtection •LowPowerLoss,HighEfficiency •HighSurgeCapability •HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop •SurgeOverloadRatingto80APeak •ForUseinLowVoltage,HighFrequen	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MBR350	文件：120.33 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyRectifier,3A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR350	文件：376.203 Kbytes Page：2 Pages	3.0A50VSchottkydiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
MBR350	文件：201.14 Kbytes Page：3 Pages	3ASCHOTTKYRECTIFIER 3ASCHOTTKYRECTIFIER AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
MBR350	文件：135.95 Kbytes Page：2 Pages	3.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●HighCurrentCapability ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCurrentCapability ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplications	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
MBR350	文件：168.5 Kbytes Page：6 Pages	AxialLeadRectifiers ThesedevicesemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlap contact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−voltage, high−frequencyinverters,freewhee	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR350F	文件：483.58 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERREVERSEVOLTAGE20VTO200VFORWARDCURRENT3.0A DESCRIPTION The MBR320F~MBR3200Fareavailablein SOD123FLPackage FEATURES PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V 0 Lowpowerloss,highefficiency Foruseinlowvoltagehighfrequencyinverters, freewheeling,andpolarityprotecti	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
MBR350RL	文件：57.32 Kbytes Page：4 Pages	AxialLeadRectifiers ThesedevicesemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−voltage,high−frequencyinverters,freewheeling	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR350RL	文件：59.75 Kbytes Page：4 Pages	AxialLeadRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR350RL	文件：168.5 Kbytes Page：6 Pages	AxialLeadRectifiers ThesedevicesemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlap contact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−voltage, high−frequencyinverters,freewhee	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
MAX350CWN-T
功能描述：
多路器开关 IC
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
1
开关数量：
4
开启电阻（最大值）：
7 Ohms
传播延迟时间：
0.25 ns
工作电源电压：
2.3 V to 3.6 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
UQFN-16

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