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MMBD301	文件：1.13012 Mbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierDiode	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MMBD301	文件：51.79 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE VeryLowCapacitance LowReverseLeakage PNJunctionGuardRingforTransientand ESDProtection ForGeneralPurposeSwitchingApplications PlasticMaterial–ULRecognitionFlammability Classification94V-0	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
MMBD301	文件：185.69 Kbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYDIODE FEATURES LowCapacitance:1.5pF(Max)atVR=15V VeryLowVF:0.36V(Typ)atIF=1mA ExtremelyFastSwitchingSpeed LeadfreeincomplywithEURoHS2011/65/EUdirectives. GreenmoldingcompoundasperIEC61249Std..(HalogenFree)	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBD301L	文件：90.4 Kbytes Page：4 Pages	SILICONHOT-CARRIERDETECTORANDSWITCHINGDIODES Thesedevicesaredesignedprimarilyforhigh−efficiencyUHFandVHFdetectorapplications.TheyarereadilyadaptabletomanyotherfastswitchingRFanddigitalapplications.Theyaresuppliedinaninexpensiveplasticpackageforlow−cost,high−volumeconsumerandindustrial/commercialrequi	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBD301L	文件：54.43 Kbytes Page：2 Pages	SiliconHot-CarrierDiodesSchottkyBarrierDiodes Thesedevicesaredesignedprimarilyforhigh–efficiencyUHFandVHFdetectorapplications.TheyarereadilyadaptabletomanyotherfastswitchingRFanddigitalapplications.Theyaresuppliedinaninexpensiveplasticpackageforlow–cost,high–volumeconsumerandindustrial/commercialrequiremen	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBD301TS	文件：99.37 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYDIODE VOLTAGE30VoltsPOWER200mWatts FEATURES •LowCapacitance:1.5pF(Max)atVR=15V •VeryLowVF:0.36V(Typ)atIF=1mA •ExtremelyFastSwitchingSpeed •Pbfreeproduct:99SnabovecanmeetRoHSenvironmentsubstancedirectiverequest	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMDL301	文件：39.74 Kbytes Page：4 Pages	SiliconHot-CarrierDiodes	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMDL301	文件：238.52 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierDiode Features ◇Lowreverseleakage—IR=13nA(Typ). ◇VeryLowCapacitance—lessthan1.5pF@15V. ◇ExtremelyLowminoritycarrierlifetime—15ps(Typ). ◇Pb-Freepackageisavailable. Applications ◇Forhigh-efficiencyUHFandVHFdetectorapplications.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MMDL301	文件：220.99 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiode FEATURES ●Lowreverseleakage—IR=13nA(Typ). ●VeryLowCapacitance—lessthan1.5pF@15V. ●ExtremelyLowminoritycarrierlifetime—15ps(Typ). ●Pb-Freepackageisavailable. APPLICATIONS ●Forhigh-efficiencyUHFandVHFdetectorapplications.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
MMDL301	文件：51.57 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE VeryLowCapacitance LowReverseLeakage PNJunctionGuardRingforTransientand ESDProtection ForGeneralPurposeSwitchingApplications PlasticMaterial–ULRecognitionFlammability Classification94V-0	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE

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详细参数

型号：
MAX301CSE
功能描述：
模拟开关 IC
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
开关数量：
2
开关配置：
SPDT
开启电阻（最大值）：
0.1 Ohms
工作电源电压：
2.7 V to 4.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DSBGA-16

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