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PXIS-2630	文件：601.5 Kbytes Page：2 Pages	18/14/8-Slot3UPXIChassis	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
QCT2630	文件：150.46 Kbytes Page：1 Pages	CoaxialTerminations Features: LowVSWR Broadband Applications: Transmitters Antennas LaboratoryTest ImpedanceMatching	QUALWAVEQualwave Inc. All rights reserved. 扩维微波成都扩维微波技术有限公司	QUALWAVE
QFA2630	文件：164.36 Kbytes Page：1 Pages	FixedAttenuators Features: LowVSWR HighAttenuationFlatness Applications: Wireless Transmitter LaboratoryTest Radar	QUALWAVEQualwave Inc. All rights reserved. 扩维微波成都扩维微波技术有限公司	QUALWAVE
SBJ2630	文件：162.78 Kbytes Page：2 Pages	SMDSchottkyBarrierRectifierDiodes	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
SBJ2630	文件：121.23 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifierDiodes-SingleDiode Features Isolatedheatflange Besttrade-offbetweenVFandIR2) Lowforwardvoltagedrop Highpowerdissipation ComplianttoRoHS,REACH, ConflictMinerals1) TypicalApplications OutputRectificationinDC/DC ConvertersandPowerSupplies PolarityProtectio	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
SBT2630	文件：115.45 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifiers??SingleDiode SchottkyBarrierRectifiers–SingleDiode •Nominalcurrent26A •Repetitivepeakreversevoltage20...40V •PlasticcaseTO-220AC •Weightapprox.1.8g •PlasticmaterialhasULclassification9	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
SM2630DSC	文件：521.78 Kbytes Page：9 Pages	DualN-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SM2630DSC	文件：166.77 Kbytes Page：11 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成电路大中集成电路股份有限公司	SINOPWER
SM2630DSCC-TRG	文件：166.77 Kbytes Page：11 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成电路大中集成电路股份有限公司	SINOPWER
SST2630	文件：449.52 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •LowOn-Resistance •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters,HighSpeedSwitching	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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产品属性

产品编号：
MAX2630EUS-T
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
频率：
100MHz ~ 1GHz
P1dB：
-11dBm
增益：
13.4dB
噪声系数：
3.8dB
射频类型：
手机，VHF，GPS，ISM，PCS，机顶盒，WLAN，WLL
电压 - 供电：
2.7V ~ 5.5V
电流 - 供电：
6.6mA
测试频率：
900MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-253-4，TO-253AA
供应商器件封装：
SOT-143-4
描述：
IC AMP CELL 100MHZ-1GHZ SOT143-4

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