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MBRF2530CT	文件：400.14 Kbytes Page：2 Pages	25AmpSchottkyBarrierRectifier20to100Volts Features •LowPowerLoss •HighEfficiency •LowForwardVoltage,HighCurrentCapability •Highsurgecapacity •Case:ITO-220ABFullMoldedPlasticPackage	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
NCS2530	文件：329.94 Kbytes Page：14 Pages	Triple1.1mA200MHzCurrentFeedbackOpAmpwithEnableFeature	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCS2530	文件：3.72645 Mbytes Page：4 Pages	LowPower,HighSpeed,CurrentFeedbackOpAmps	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCS2530	文件：358.6 Kbytes Page：16 Pages	Triple1.1mA200MHzCurrentFeedbackOpAmpwithEnableFeature	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCS2530A	文件：358.6 Kbytes Page：16 Pages	Triple1.1mA200MHzCurrentFeedbackOpAmpwithEnableFeature	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCS2530ADG	文件：358.6 Kbytes Page：16 Pages	Triple1.1mA200MHzCurrentFeedbackOpAmpwithEnableFeature	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCS2530DTB	文件：329.94 Kbytes Page：14 Pages	Triple1.1mA200MHzCurrentFeedbackOpAmpwithEnableFeature	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCS2530DTBG	文件：358.6 Kbytes Page：16 Pages	Triple1.1mA200MHzCurrentFeedbackOpAmpwithEnableFeature	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NIPXI-2530	文件：721.89 Kbytes Page：5 Pages	61⁄2-DigitDigitalMultimeter,1.8MS/sIsolatedDigitizer,andLCRMeter	NI National Instruments Inc.	NI
NIPXI-2530	文件：198.4 Kbytes Page：4 Pages	High-DensityMulticonfigurationMultiplexer/Matrix	NI National Instruments Inc.	NI
NIPXI-2530	文件：320.12 Kbytes Page：4 Pages	61??-DigitDigitalMultimetersand1.8MS/sIsolatedDigitizers	NI National Instruments Inc.	NI
NTE2530	文件：23.24 Kbytes Page：2 Pages	SiliconComplementaryTransistorsHighVoltageDriver Features: •HighCurrentCapacity:IC=2A •HighBreakdownVoltage:VCEO=400VMin	NTE NTE Electronics, Inc	NTE
PSU2530	文件：142.51 Kbytes Page：3 Pages	ACMotorStartCapacitorsNon-polarized,AluminumElectrolyticACMotorStartCapacitors Non-polarized,AluminumElectrolyticACMotorStartCapacitors TheTypePSUisacompactnon-polar,dualvoltagerated,ACmotorstartcapacitorconstructedinaroundruggedbakelitecase.Toextendthelifeofrelaycontactswitches,thePSUcanbepurchasedwithoptionalbleederresist	CDE Cornell Dubilier Electronics	CDE
PSU2530	文件：467.41 Kbytes Page：4 Pages	THAS231M150AA0C	CDE Cornell Dubilier Electronics	CDE
PTZTE2530A	文件：154.4 Kbytes Page：5 Pages	Zenerdiode	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
PTZTE2530B	文件：154.4 Kbytes Page：5 Pages	Smallpowermoldtype.(PMDS)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
PWRBG2530	文件：71.73 Kbytes Page：1 Pages	Couvercledobturationarriere-SeriePW	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.	HAMMOND
PXI-2530	文件：198.4 Kbytes Page：4 Pages	High-DensityMulticonfigurationMultiplexer/Matrix	NI National Instruments Inc.	NI
RT2530Q	文件：141.41 Kbytes Page：10 Pages	CurrentLimit	RichTekRichtek USA Inc. 台湾立绮立绮科技	RichTek
RY2530S	文件：283.24 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·DCCurrentGain- :hFE=25(Min)@IC=1.5A ·Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=60V(Min) ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforuseingeneralpurposepoweramplifierand switchingapplica	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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产品属性

产品编号：
MAX2530ETI+T
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频混频器
包装：
散装
增益：
16dB
噪声系数：
6.5dB
电流 - 供电：
32mA
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.3V
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
28-WFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
28-TQFN（5x5）
描述：
IC MIXER CELL/PCS/GPS 28TQFN

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