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RF2363PCBA	文件：198.2 Kbytes Page：10 Pages	DUAL-BAND3VLOWNOISEAMPLIFIER	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RF2363PCBA	文件：167.61 Kbytes Page：10 Pages	DUAL-BAND3VLOWNOISEAMPLIFIER ProductDescription TheRF2363isadual-bandLowNoiseAmplifierdesignedforuseasafront-endfor950MHzGSM/1850MHzDCSapplicationsandmaybeusedfordual-bandcellular/PCSapplications.The900MHzLNAisasingle-stageamplifier;the1900MHzLNAisa2-stageamplifier.Thepartmayalso	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
SGA-2363	文件：333.63 Kbytes Page：7 Pages	DC-2800MHzSiliconGermaniumHBTCascadeableGainBlock ProductDescription StanfordMicrodevices’SGA-2363isahighperformancecascadeable50-ohmamplifierdesignedforoperationfroma2.7-voltsupply.ThisRFICusesthelatestSiliconGermaniumHeterostructureBipolarTransistor(SiGeHBT)processfeaturing1micronemitterswithFTupto50GHz.	STANFORD Stanford Microdevices	STANFORD
SGA-2363	文件：252.55 Kbytes Page：5 Pages	DC-5000MHz,CascadableSiGeHBTMMICAmplifier ProductDescription TheSGA-2363isahighperformanceSiGeHBTMMICAmplifier.ADarlingtonconfigurationfeaturing1micronemittersprovideshighFTandexcellentthermalperfomance.Theheterojunctionincreasesbreakdownvoltageandminimizesleakagecurrentbetweenjunctions.Cancellationof	SIRENZA SIRENZA MICRODEVICES	SIRENZA
SGA2363Z	文件：362.76 Kbytes Page：6 Pages	DCto5000MHz,CASCADABLESiGeHBTMMICAMPLIFIER	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
SGA-2363Z	文件：252.55 Kbytes Page：5 Pages	DC-5000MHz,CascadableSiGeHBTMMICAmplifier ProductDescription TheSGA-2363isahighperformanceSiGeHBTMMICAmplifier.ADarlingtonconfigurationfeaturing1micronemittersprovideshighFTandexcellentthermalperfomance.Theheterojunctionincreasesbreakdownvoltageandminimizesleakagecurrentbetweenjunctions.Cancellationof	SIRENZA SIRENZA MICRODEVICES	SIRENZA
SGA2363ZSQ	文件：362.76 Kbytes Page：6 Pages	DCto5000MHz,CASCADABLESiGeHBTMMICAMPLIFIER	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
SGA2363ZSR	文件：362.76 Kbytes Page：6 Pages	DCto5000MHz,CASCADABLESiGeHBTMMICAMPLIFIER	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
SGC-2363	文件：282.88 Kbytes Page：5 Pages	50-4000MHzActiveBiasSiliconGermaniumCascadableGainBlock	SIRENZA SIRENZA MICRODEVICES	SIRENZA
SGC2363Z	文件：331.46 Kbytes Page：6 Pages	50MHzto4000MHzACTIVEBIASSILICONGERMANIUMCASCADABLEGAINBLOCK	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD

详细参数

型号：
MAX2363EGM-TD
功能描述：
射频发射器 Complete Dual-Band Quadrature Txr
RoHS：
否
制造商：
Micrel
类型：
ASK Transmitter
封装/箱体：
SOT-23-6
工作频率：
300 MHz to 450 MHz
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	MAX2363EGM-TD	MAXIM	24+	QFN	5000		询价
深圳市壹芯创科技有限公司	MAX2363EGM-TD	MAX	22+	QFN	8200	原装现货库存.价格优势	询价
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深圳市胜彬电子有限公司	MAX2363EGM-TD	MAXIM	22+	QFN	3000	原装正品,支持实单	询价
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更多MAX2363EGM-TD供应商更新时间2025-7-25 13:31:00

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