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MIW2326	文件：402.53 Kbytes Page：4 Pages	DIP-24MetalPackage31.8x20.3x10.2mm(1.25x0.8x0.4inches)	TOTAL-POWER Total Power International	TOTAL-POWER
MIW2326	文件：182.88 Kbytes Page：8 Pages	2-3W,Ultra-WideInputRangeDIP,Single&DualOutputDC/DCConverters	MINMAXMinmax Technology Co., Ltd. 捷拓科技台湾捷拓科技股份有限公司	MINMAX
MP2326	文件：1.82324 Mbytes Page：25 Pages	19V,4A,40關AIQ,High-EfficiencyConstant-On-Time(COT)Step-DownConverterina2mmx3mmQFNPackage	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MP2326GD	文件：1.82324 Mbytes Page：25 Pages	19V,4A,40關AIQ,High-EfficiencyConstant-On-Time(COT)Step-DownConverterina2mmx3mmQFNPackage	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
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PWS2326	文件：318.75 Kbytes Page：4 Pages	DCPowerSupplies	TEKTRONIXTektronix 泰克泰克科技(中国)有限公司	TEKTRONIX
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RF2326PCBA	文件：247.47 Kbytes Page：8 Pages	3VGENERALPURPOSEAMPLIFIER ProductDescription TheRF2326isageneralpurpose,low-costsiliconamplifierdesignedforoperationfroma3Vsupply.TheDarlingtoncircuitconfigurationwithresistivefeedbackallowsforbroadbandcascadableamplification.Thedeviceisunconditionallystableandinternallymatchedto50Ω.	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RN2326A	文件：206.86 Kbytes Page：11 Pages	SiliconPNPEpitaxialType(PCTProcess)Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
MAX2326EUP-T
功能描述：
射频放大器 Adj SiGe Dual Band LNA/Mixer
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
类型：
Low Noise Amplifier
工作频率：
2.3 GHz to 2.8 GHz
P1dB：
18.5 dBm
输出截获点：
37.5 dBm
功率增益类型：
32 dB
噪声系数：
0.85 dB
工作电源电压：
5 V
电源电流：
125 mA
测试频率：
2.6 GHz
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
封装：
Reel

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