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RF2326PCBA	文件：247.47 Kbytes Page：8 Pages	3VGENERALPURPOSEAMPLIFIER ProductDescription TheRF2326isageneralpurpose,low-costsiliconamplifierdesignedforoperationfroma3Vsupply.TheDarlingtoncircuitconfigurationwithresistivefeedbackallowsforbroadbandcascadableamplification.Thedeviceisunconditionallystableandinternallymatchedto50Ω.	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RN2326A	文件：206.86 Kbytes Page：11 Pages	SiliconPNPEpitaxialType(PCTProcess)Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
SFS2326	文件：111.78 Kbytes Page：2 Pages	SILICONCONTROLLEDRECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SFS2326	文件：112.41 Kbytes Page：2 Pages	1.6AMPS200-400VOLTSSILICONCONTROLLEDRECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SM2326NSAN	文件：169.43 Kbytes Page：12 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成电路大中集成电路股份有限公司	SINOPWER
SM2326NSANC-TRG	文件：169.43 Kbytes Page：12 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成电路大中集成电路股份有限公司	SINOPWER
SMG2326N	文件：124.37 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SPN2326	文件：197.88 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	SYNC-POWERSYNC POWER Crop. 擎力科技擎力科技股份有限公司	SYNC-POWER
TA2326A	文件：601.82 Kbytes Page：9 Pages	SAWFilter2593MHzBand41TRXSMD1.4x1.1mm	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TA2326B	文件：606.96 Kbytes Page：9 Pages	SAWFilter2593MHzBand41TRXSMD1.4x1.1mm(BW=194MHz)	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW

详细参数

型号：
MAX2326
功能描述：
射频放大器 Adj SiGe Dual Band LNA/Mixer
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
类型：
Low Noise Amplifier
工作频率：
2.3 GHz to 2.8 GHz
P1dB：
18.5 dBm
输出截获点：
37.5 dBm
功率增益类型：
32 dB
噪声系数：
0.85 dB
工作电源电压：
5 V
电源电流：
125 mA
测试频率：
2.6 GHz
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
封装：
Reel

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