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TZ1916E	文件：127.92 Kbytes Page：7 Pages	CrystalUnitSMD3.2x2.524.00MHz Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage MoistureSensitivityLevel(MSL):Level-1 AECQ-200Compliant DescriptionandApplications: Surfacemount3.2mmx2.5mmcrystalunit	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
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UPA1916	文件：197.31 Kbytes Page：10 Pages	OldCompanyNameinCatalogsandOtherDocuments DESCRIPTION TheµPA1916isaswitchingdevicewhichcanbedrivendirectlybya1.8Vpowersource. Thisdevicefeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •1.8Vdriv	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1916	文件：62.03 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTORFORSWITCHING DESCRIPTION TheµPA1916isaswitchingdevicewhichcanbedrivendirectlybya1.8Vpowersource. Thisdevicefeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •1.8Vdriv	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA1916TE	文件：445.27 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET APPLICATIONS •LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
UPA1916TE	文件：62.03 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTORFORSWITCHING DESCRIPTION TheµPA1916isaswitchingdevicewhichcanbedrivendirectlybya1.8Vpowersource. Thisdevicefeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •1.8Vdriv	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

详细参数

型号：
MAX1916EZT
制造商：
Maxim Integrated Products
功能描述：
LOW-DROPOUT CONSTANT-CURRENT TRIPLE WHITE LED BIAS SUPPLY - Rail/Tube

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