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BC182L	文件：62.56 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTOR BC182BC182L->PNP BC212,BC212L->PNP	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
BC182L	文件：250.49 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistors [multicomp] GeneralDescription: •GeneralPurposeNPNSiliconPlanarEpitaxialAmplifiersTransistors.	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
BC182L	文件：71.84 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier NPNGeneralPurposeAmplifier •Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationatcollectorcurrentsto100mA. •Sourcedfromprocess10.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
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BC182L	文件：75.84 Kbytes Page：1 Pages	LowLevelandGeneralPurposeAmplifiers	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BC182LA	文件：133.96 Kbytes Page：1 Pages	3LDTO-92,MOLDEDSTDSTRAIGHTLD SILICONNPNSMALLSIGNALTRANSISTOR BVCEO....50V(Min) hFE....80(Min)@VCE=5.0V,IC=100mA	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC182LB	文件：27.33 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier •Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationat collectorcurrentsto100mA. •Sourcedfromprocess10.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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BD182	文件：144.46 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONTRANSISTORPOWERLINERARANDSWITCHINGAPPLICATIONS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
BD182	文件：78.64 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONTRANSISTORPOWERLINERARANDSWITCHINGAPPLICATIONS	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD182	文件：150.15 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONTRANSISTORPOWERLINERARANDSWITCHINGAPPLICATIONS NPNSILICONTRANSISTOR POWERLINERARANDSWITCHINGAPPLICATIONS BD181,BD182andBD183aresiliconNPNtransistorsintendedforawidevariety ofhighpowerapplications.Typicalapplicationsincludepowerswitchingcircuits, audioamplifiers,solenoiddrivers,andseriesandshuntregulators.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BF182	文件：379.51 Kbytes Page：5 Pages	TRANZYSTORY [ADVANIOERLIKON] TELEVISION/VIDEODEVICES I.F./R.F.amplifiersandoscillators V.H,F./U.H.F.TVtuningdevices	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BF182	文件：127.97 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPurposeDiodes GeneralPurposeDiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BF182	文件：127.97 Kbytes Page：1 Pages	Electricalcharacterlitics GeneralPurposeDiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BFP182	文件：134.24 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP182	文件：78.93 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor* •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA •fT=8GHz,F=0.9dBat900MHz •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101 *Shorttermdescription	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP182	文件：60.08 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA •fT=8GHz F=1.2dBat900MHz	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BFP182R	文件：58 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA •fT=8GHz F=1.2dBat900MHz	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BFP182R	文件：87.74 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA •fT=8GHz,NFmin=0.9dBat900MHz •Pb-free(RoHScompliant)package •QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP182R	文件：556.5 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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详细参数

型号：
MAX182AEWI
功能描述：
模数转换器 - ADC
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
2
结构：
Sigma-Delta
转换速率：
125 SPs to 8 KSPs
分辨率：
24 bit
输入类型：
Differential
信噪比：
107 dB
接口类型：
SPI
工作电源电压：
1.7 V to 3.6 V, 2.7 V to 5.25 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
VQFN-32

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