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MSK181GZ	文件：260.61 Kbytes Page：8 Pages	HIGHVOLTAGE/HIGHCURRENTOPERATIONALAMPLIFIER	ANARENAnaren Microwave 安伦	ANAREN
MSK181H	文件：518.13 Kbytes Page：6 Pages	HIGHVOLTAGE/HIGHCURRENTOPERATIONALAMPLIFIER DESCRIPTION: TheMSK181isahighpowermonolithicoperationalamplifieridealforusewithawidevarietyofloads.Withoperationfromeithersingleordualsupplies,theMSK181offersexcellentdesignflexibility.Powerdissipationiskepttoaminimumwithaquiescentcurrentratingofon	MSK M.S. Kennedy Corporation	MSK
MSK181HZ	文件：518.13 Kbytes Page：6 Pages	HIGHVOLTAGE/HIGHCURRENTOPERATIONALAMPLIFIER DESCRIPTION: TheMSK181isahighpowermonolithicoperationalamplifieridealforusewithawidevarietyofloads.Withoperationfromeithersingleordualsupplies,theMSK181offersexcellentdesignflexibility.Powerdissipationiskepttoaminimumwithaquiescentcurrentratingofon	MSK M.S. Kennedy Corporation	MSK
MSK181Z	文件：518.13 Kbytes Page：6 Pages	HIGHVOLTAGE/HIGHCURRENTOPERATIONALAMPLIFIER DESCRIPTION: TheMSK181isahighpowermonolithicoperationalamplifieridealforusewithawidevarietyofloads.Withoperationfromeithersingleordualsupplies,theMSK181offersexcellentdesignflexibility.Powerdissipationiskepttoaminimumwithaquiescentcurrentratingofon	MSK M.S. Kennedy Corporation	MSK
MSK181Z	文件：260.61 Kbytes Page：8 Pages	HIGHVOLTAGE/HIGHCURRENTOPERATIONALAMPLIFIER	ANARENAnaren Microwave 安伦	ANAREN
NB-PTCO-181	文件：350.32 Kbytes Page：8 Pages	PlatinumThinFilm(PTF)TemperatureElements	TECTE Connectivity Ltd 泰科电子泰科电子有限公司	TEC
ND181	文件：253.41 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalFastSwitchingDiode GeneralDescription General-purposeswitchingdiodes,fabricatedinplanartechnology,andpackagedinsmallSOD-923surfacemounteddevice(SMD)packages. FeaturesandBenefits •Siliconepitaxialplanardiode •Highswitchingspeed:trr≤4ns •Lowforwarddropvoltageandlowleakagecurrent	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
ND181	文件：326.73 Kbytes Page：4 Pages	SwitchingDiode Features •Ultrahighspeedswitchingapplication •Lowforwardvoltage:VF=0.9V(Typ.) •Fastreverserecoverytime:trr=1.6㎱(Typ.) •Smalltotalcapacitance:CT=2.2㎊(Typ.)	AUK AUK corp	AUK
NTE181	文件：23.78 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerTransistorHighPowerAudioAmplifier Description: TheNTE180(PNP)andNTE181(NPN)aresiliconcomplementarytransistorsinaTO3typecasedesignedforuseasoutputdevicesincomplementaryaudioamplifiersto100wattsmusicpowerperchannel. Features: •HighDCCurrentGain:hFE=25–100@IC=7.5A •Excellent	NTE NTE Electronics	NTE
OP181	文件：448.07 Kbytes Page：16 Pages	UltralowPower,Rail-to-RailOutputOperationalAmplifiers GENERALDESCRIPTION TheOP181,OP281andOP481aresingle,dualandquadultralowpower,single-supplyamplifiersfeaturingrail-to-railoutputs.Alloperatefromsuppliesaslowas2.0Vandarespecifiedat+3Vand+5Vsinglesupplyaswellas±5Vdualsupplies. FEATURES LowSupply	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD

详细参数

型号：
MAX181CMDL
功能描述：
数据转换系统
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
转换速率：
0.001 MSPs
分辨率：
24 bit
最大工作温度：
+ 125 C
最小工作温度：
- 40 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
TQFP-64
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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