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MJE172	文件：228.62 Kbytes Page：4 Pages	POWERTRANSISTORS(3.0A,40-80V,12.5W) COMPLEMENTARYSILICONPLASTICPOWERTRANSISTORS	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
MJE172	文件：193.46 Kbytes Page：5 Pages	PNP(LOWFREQUENCYAMPLIFIER)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
MJE172	文件：54.26 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION TheMJE172(PNPtype)andMJE182(NPNtype)aresiliconepitaxialplanar,complementarytransistorsinJedecSOT-32plasticpackage,theyaredesignedforlowpoweraudioamplifierandlowcurrent,highspeedswitchingapplications. ■SGS-THOMSONPREFERREDSALESTYPES ■COMPLEMENTARY	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJE172	文件：49.81 Kbytes Page：5 Pages	LowPowerAudioAmplifierLowCurrent,HighSpeedSwitchingApplications PNPEpitaxialSiliconTransistor LowPowerAudioAmplifier LowCurrent,HighSpeedSwitchingApplications	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJE172	文件：83.18 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticSiliconPowerTransistors40??60??80VOLTS12.5WATTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MJE172	文件：102.87 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeMJE180/181/182 APPLICATIONS •Forlowpoweraudioamplifierandlowcurrenthighspeedswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
MJE172	文件：116.72 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeMJE180/181/182 APPLICATIONS •Forlowpoweraudioamplifierandlowcurrenthighspeedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
MAX172BEWG-T
功能描述：
模数转换器 - ADC
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
2
结构：
Sigma-Delta
转换速率：
125 SPs to 8 KSPs
分辨率：
24 bit
输入类型：
Differential
信噪比：
107 dB
接口类型：
SPI
工作电源电压：
1.7 V to 3.6 V, 2.7 V to 5.25 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
VQFN-32

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