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MJE172	文件：1.33402 Mbytes Page：4 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES LowPowerAudioAmplifier LowCurrent,HighSpeedSwitchingApplications	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
MJE172G	文件：83.18 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticSiliconPowerTransistors40??60??80VOLTS12.5WATTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE172G	文件：144.32 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJE172G	文件：125.78 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticSiliconPowerTransistors ComplementaryPlasticSiliconPowerTransistors TheMJE170/180seriesisdesignedforlowpoweraudioamplifierandlowcurrent,highspeedswitchingapplications. Features •Collector−EmitterSustainingVoltage− VCEO(sus)=40Vdc−MJE170,MJE180 =60Vdc−MJE171,	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE172-TU	文件：1.33402 Mbytes Page：4 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES LowPowerAudioAmplifier LowCurrent,HighSpeedSwitchingApplications	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
MMBD172SE	文件：194.28 Kbytes Page：1 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARDIODE SILICONEPITAXIALPLANARDIODE forVHF~UHFbandRFattenuatorapplications	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MMBD172SE	文件：185.41 Kbytes Page：1 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARDIODE	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MP172	文件：519.96 Kbytes Page：20 Pages	700VNon-IsolatedOff-LineRegulatorUpto120mAOutputCurrent	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
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详细参数

型号：
MAX172AEWG
功能描述：
模数转换器 - ADC
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
2
结构：
Sigma-Delta
转换速率：
125 SPs to 8 KSPs
分辨率：
24 bit
输入类型：
Differential
信噪比：
107 dB
接口类型：
SPI
工作电源电压：
1.7 V to 3.6 V, 2.7 V to 5.25 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
VQFN-32

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