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UPA1717G	文件：291.34 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES ·Lowon-stateresistance RDS(on)1=33mWMAX.(VGS=-10V,ID=-3A) RDS(on)2=59mWMAX.(VGS=-4.5V,ID=-3A) ·LowCiss:Ciss=830pFTYP. ·Built-inG-Sprotectiondiode ·Smallandsurfacemountpackage(PowerSOP	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1717G	文件：65.43 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION TheµPA1717isP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofnotebookcomputers. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=33mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−3A) RDS(on)2=59mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−3A) •LowCiss:Ciss=830	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES ·Lowon-stateresistance RDS(on)1=33mWMAX.(VGS=-10V,ID=-3A) RDS(on)2=59mWMAX.(VGS=-4.5V,ID=-3A) ·LowCiss:Ciss=830pFTYP. ·Built-inG-Sprotectiondiode ·Smallandsurfacemountpackage(PowerSOP

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

UPA1717G

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SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION TheµPA1717isP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofnotebookcomputers. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=33mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−3A) RDS(on)2=59mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−3A) •LowCiss:Ciss=830

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

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深圳市安富世纪电子有限公司	MAX1717EEG-T其他被动元件	MAXIM/美信	23+	QSOP-24	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	MAX1717EEG-T其他被动元件	MAXIM/美信	23+	QSOP24	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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更多MAX1717EEG-T其他被动元件供应商更新时间2025-5-22 13:01:00

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