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ASTMD149	文件：295.95 Kbytes Page：1 Pages	HighPerformanceThermalPad Features •Greatthermalconductivity •Difficulttobedeformed •Easytoassemble •Twosidelowtack Applications Electroniccomponents-ElectricVehicles,5G,AutopilotSystem,Mobile Phone,AIOT,HPC(HighPerformanceComputing),Server,IC,CPU,MOS,LED, MotherBoard,PowerSupply	TGLOBAL T-Global Technology	TGLOBAL
ASTMD149	文件：232.76 Kbytes Page：1 Pages	ThermalTape Features •Goodadhesion(AcrylicPSA) •Greatreliability •Costeffectivewithgreatperformance •Easytoassemble •Customizationservicesfordifferentindustries Applications Electroniccomponents-ElectricVehicles,5G,AutopilotSystem,Mobile Phone,AIOT,HPC(HighPerformance	TGLOBAL T-Global Technology	TGLOBAL
BB149	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BB149	文件：43.47 Kbytes Page：7 Pages	UHFvariablecapacitancediode	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BB149	文件：54.67 Kbytes Page：8 Pages	UHFvariablecapacitancediode DESCRIPTION TheBB149isavariablecapacitancediode,fabricatedinplanartechnology,andencapsulatedintheSOD323verysmallplasticSMDpackage. Theexcellentmatchingperformanceisachievedbyglidingmatchingandadirectmatchingassemblyprocedure.Theunmatchedtype,BB159hasthesa	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BB149	文件：51.95 Kbytes Page：2 Pages	UHFvariablecapacitancediode DESCRIPTION TheBB149isavariablecapacitancediode,fabricatedinplanartechnology,andencapsulatedintheSOD323verysmallplasticSMDpackage. Theexcellentmatchingperformanceisachievedbyglidingmatchingandadirectmatchingassemblyprocedure.Theunmatchedtype,BB159hasthesa	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
BB149A	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BB149A	文件：53.76 Kbytes Page：8 Pages	UHFvariablecapacitancediode DESCRIPTION TheBB149Aisaplanartechnologyvariablecapacitancediode,inaSOD323verysmallplasticSMDpackage.Theexcellentmatchingperformanceisachievedbyglidingmatchingandadirectmatchingassemblyprocedure. FEATURES •Excellentlinearity •Excellentmatchingto2DMA •Ver	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC149	文件：484.99 Kbytes Page：6 Pages	TRANZYSTORYNPN LowLevelandGeneralPurposeAmplifiers	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BC149	文件：75.84 Kbytes Page：1 Pages	LowLevelandGeneralPurposeAmplifiers	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BCR149	文件：448.62 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=47kΩ)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR149F	文件：448.62 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=47kΩ)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR149T	文件：448.62 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=47kΩ)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFQ149	文件：37.97 Kbytes Page：6 Pages	PNP5GHzwidebandtransistor DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT89envelope.ItisintendedforuseinUHFapplicationssuchasbroadbandaerialamplifiers(30to860MHz)andinmicrowaveamplifierssuchasradarsystems,spectrumanalyzers,etc.,usingSMDtechnology.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFQ149	文件：227.64 Kbytes Page：7 Pages	PNP5GHzwidebandtransistor DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT89envelope.ItisintendedforuseinUHFapplicationssuchasbroadbandaerialamplifiers(30to860MHz)andinmicrowaveamplifierssuchasradarsystems,spectrumanalysers,etc.,usingSMDtechnology.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFQ149	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BLC149	文件：51.46 Kbytes Page：1 Pages	BLC149	BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海贝岭上海贝岭股份有限公司	Belling
BSP149	文件：328.62 Kbytes Page：7 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor(NchannelDepletionmodeHighdynamicresistance) ●VDS200V ●ID0.48A ●RDS(on)3.5Ω ●Nchannel ●Depletionmode ●Highdynamicresistance ●AvailablegroupedinVGS(th)	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BSP149	文件：206.19 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor Features •N-channel •Depletionmode •dv/dtrated •AvailablewithVGS(th)indicatoronreel •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSP149	文件：226.93 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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详细参数

型号：
MAX149AEPP
功能描述：
模数转换器 - ADC
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
2
结构：
Sigma-Delta
转换速率：
125 SPs to 8 KSPs
分辨率：
24 bit
输入类型：
Differential
信噪比：
107 dB
接口类型：
SPI
工作电源电压：
1.7 V to 3.6 V, 2.7 V to 5.25 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
VQFN-32

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