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BD139	文件：157.51 Kbytes Page：9 Pages	Complementarylowvoltagetransistor	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BD139	文件：105.21 Kbytes Page：3 Pages	NPNPOWERTRANSISTORS	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
BD139	文件：131.19 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •Highcurrent •ComplementtotypeBD136/138/140 APPLICATIONS •Driverstagesinhigh-fidelityamplifiers andtelevisioncircuits	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD139	文件：36.88 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
BD139	文件：357.96 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistorsNPNSilicon45,60,80Volts Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •DCCurrentGain-hFE=40(Min)@IC=150mAdc •ComplementarywithBD136,BD138,BD140	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BD139	文件：235.37 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORBD135,BD137,andBD139areNPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorsdesignedforaudioamplifierandswitchingapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BD139	文件：59.35 Kbytes Page：1 Pages	ComplementarySiliconPowerTtransistors DESCRIPTION Itisintentedforuseinpoweramplifierandswitchingapplications.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
BD139	文件：1.11352 Mbytes Page：4 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighCurrent ●ComplementToBD136,BD138AndBD140	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
BD139	文件：73.91 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALPOWERTRANSISTORS SILICONPLANAREPITAXIALPOWERTRANSISTORS. TheBD136-BD138-BD140arePNPTransistors Theyarerecommendedfordriverstagesinhi-fiamplifiersandtelevisioncircuits. TheyaremountedinJedecTO-126plasticpackage. NPNcomplementsareBD135-BD137-BD139. CompliancetoRoHS.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD139	文件：111.81 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD139	文件：158.04 Kbytes Page：9 Pages	Complementarylowvoltagetransistor Description TheseepitaxialplanartransistorsaremountedintheSOT-32plasticpackage.Theyaredesignedforaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasi-complementarycircuits.TheNPNtypesaretheBD135andBD139,andthecomplementaryPNPtypesaretheBD136andBD140. Fe	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BD139	文件：252.12 Kbytes Page：4 Pages	NPNEPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS NPNEPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS DesignedforuseasAudioAmplifierandDriversUtilizing ComplementaryBD136,BD138,BD140	CDIL CDIL	CDIL
BD139	文件：126.45 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:1.25W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:1.5A Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
BD139	文件：360.44 Kbytes Page：2 Pages	HighCurrent TRANSISTOR(NPN) FEATURES •HighCurrent(1.5A) •LowVoltage(80V)	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BD139	文件：1.10211 Mbytes Page：4 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighCurrent ●ComplementToBD136,BD138AndBD140	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
BD139	文件：814.21 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-126FPlasticPackage.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BD139	文件：235.81 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ◾HighCurrent(1.5A) ◾LowVoltage(80V)	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
BD139	文件：369.65 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighCurrent	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BD139	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
BD139	文件：192.16 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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详细参数

型号：
MAX139CMH-D
功能描述：
模数转换器 - ADC
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
2
结构：
Sigma-Delta
转换速率：
125 SPs to 8 KSPs
分辨率：
24 bit
输入类型：
Differential
信噪比：
107 dB
接口类型：
SPI
工作电源电压：
1.7 V to 3.6 V, 2.7 V to 5.25 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
VQFN-32

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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