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MBR130	文件：638.01 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERSREVERSEVOLTAGE30VFORWARDCURRENT1.0A DESCRIPTION ThisdeviceusestheSchottkyBarrierprinciplewithalargeareametal-to-siliconpowerdiode.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectificationorasfreewheelingandpolarityprotectiondiodesinsurfacemountapplicationswherecompactsizeandweightarecriticaltot	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
MBR130E	文件：484.28 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERSREVERSEVOLTAGE20VTO200VFORWARDCURRENT1.0A DESCRIPTION The MBR120E~MBR1200Eisavailablein SOD-323HEPackage FEATURES PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V 0 Lowpowerloss,highefficiency Foruseinlowvoltagehighfrequencyinverters, freewheeling, andpolarityprotection appl	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
MBR130F	文件：693.88 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyDiodes ■Features ●Lowpowerloss,highefficiency ●Highforwardsurgecurrentcapability ●TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
MBR130HW	文件：314.85 Kbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE Features: •LowTurn-onVoltage •FastSwitching •PNJunctionGuardRingTransientandESDProtection •DesignedforSurfaceMountApplication •PlasticMaterial—ULRecognitionFlammabilityClassification94V-O •GreenProductsinCompliancewiththeROHSDirective •ThisisaPb−FreeD	SMCSangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd 烧结金属	SMC
MBR130HW	文件：762.69 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE Features LowTurn-onVoltage FastSwitching PNJunctionGuardRingTransientandESDProtection DesignedforSurfaceMountApplication PlasticMaterial—ULRecognitionFlammability Classification94V-O Terminalsfinish:100PureTin ThisisaPb−FreeDevice AllSMCpartsaretraceablet	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
MBR130L	文件：50.58 Kbytes Page：4 Pages	1.0ALOWVFSURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE VeryLowForwardVoltage FastSwitching PNJunctionGuardRingforTransientand ESDProtection DesignedforSurfaceMountApplication PlasticMaterial–ULRecognitionFlammability Classification94V-0	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
MBR130LSF	文件：339.01 Kbytes Page：3 Pages	LowForwardVoltageDropSchottkyBarrierDiodes Features •High-Surge-Capability •SuperLowForwardVoltageDrop •Low-Profile-Package •LeadFreeFinish/RohsCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesCompliant.Seeorderinginformation)	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MBR130P	文件：133.83 Kbytes Page：2 Pages	AXIALLEADRECTIFIERS AXIALLEADRECTIFIERS ...employingtheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal-to-siliconpowerdiode.State-of-the-artgeometryfeaturesepitaxialconsrjctionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact. Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow-voltage,high-frequencyinvert	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MBRA130	文件：216.05 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MBRA130	文件：297.509 Kbytes Page：2 Pages	1A30VSchottkydiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE

详细参数

型号：
MAX130AEQH-D
功能描述：
模数转换器 - ADC
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
2
结构：
Sigma-Delta
转换速率：
125 SPs to 8 KSPs
分辨率：
24 bit
输入类型：
Differential
信噪比：
107 dB
接口类型：
SPI
工作电源电压：
1.7 V to 3.6 V, 2.7 V to 5.25 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
VQFN-32

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