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MM1104CF	文件：114.06 Kbytes Page：4 Pages	MonolithicIC Outline ThisICwasdevelopedforusein3Vheadphonestereos.Itincorporatesallthebasicfunctionsoftapeplayers. MitsumihaspreviouslyofferedtheLAG665,LAG668,LAG673andMM1006asone-chipversions.However,thisICistheresultofathroughreviewandredesignextendingtocir	MITSUMIMitsumi Electronics, Corp. 三美三美电机株式会社	MITSUMI
MMAD1104	文件：86.31 Kbytes Page：1 Pages	SwitchingDiodeArray DESCRIPTION Theselowcapacitancediodearraysaremultiple,discrete,isolatedjunctionsfabricatedbyaplanarprocessandmountedina14-PINpackageforuseassteeringdiodesprotectinguptoeightI/OportsfromESD,EFT,orsurgebydirectingthemeithertothepositivesideofthepowers	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MMAD1104	文件：104.93 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingDiodeArraySteeringDiodeTVSArray	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MSA-1104	文件：44 Kbytes Page：4 Pages	CascadableSiliconBipolarMMICAmplifier	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
NJW1104	文件：84.44 Kbytes Page：6 Pages	DOLBYPROLOGICSURROUNDDECODER	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
NSVS1104	文件：169.75 Kbytes Page：4 Pages	NewJRCSAWFILTER	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
NTE1104	文件：20.92 Kbytes Page：2 Pages	IntegratedCircuitWideandNarrowBandAmp,FM/IFLimiter Applications: •ForFMIFAmplifier •ForTVSIFAmplifier	NTE NTE Electronics	NTE
OPB1104	文件：104.43 Kbytes Page：1 Pages	SiliconPhotoTransistor Structure 1.1ChipSize:0.42mmX1.17mm 1.2Chipthickness:280±20um 1.3Metallization:Top-Al,Bottom-Au 1.4Passivation:SiliconNitride 1.5BondingPadSize -Emitter:130um -Base:60umX60um 1.6ActiveArea:0.31mmX0.46mm	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
P1104U_L	文件：105.7 Kbytes Page：3 Pages	MutiportSIDAtor	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
P1104UAL	文件：155.7 Kbytes Page：5 Pages	SIDACtorMultiportSeries-MS-013	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse

详细参数

型号：
MAX1104EUA
功能描述：
ADC/DAC多通道 8-Bit CODEC
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
分辨率：
8 bit
接口类型：
SPI
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
VQFN-40

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