RF MESFET放大器漏极电流自动控制器

MAX11014/MAX11015设置和控制双路MESFET功率器件的偏置状态，用于点对点通信或其他微波基站。MAX11014集成有两路完整的闭环模拟漏极电流控制器，用于工作在A类放大器的MESFET，而MAX11015针对AB类工作。这两种器件都集成有SRAM查找表(LUT)，用于保存温度和漏极电流补偿数据。\n 每种器件都包含两个高边电流监测放大器，以监测MESFET的漏极电流在取样电阻上的压降，其范围为0至625mV。外部采用二极管连接的晶体管用于监测MESFET的温度，内部温度传感器监测MAX11014/MAX11015管芯的本地温度。内部DAC通过控制栅极电压来设置电流取样电阻上的压 \n• 双通道漏极电流检测放大器 \n• 预设增益为4 \n• 在75mV至625mV检测电压范围内精度为±0.5% (MAX11014) \n• 取样电阻共模电压范围 \n• 0.5V至11V (MAX11014) \n• 5V至32V (MAX11015) \n• 低噪声栅极偏置输出，具备±10mA栅极驱动能力 \n• 快速嵌位和上电复位 \n• 12位DAC控制MESFET栅极电压 \n• 内部温度传感器/双通道外部温度传感器 \n• 内部12位ADC测量温度和电压 \n• 可通过引脚选择串行接口 \n• 3.4MHz I²C兼容接口 \n• 20MHz SPI/MICROWIR;

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RF MESFET放大器漏极电流自动控制器

MAX11014/MAX11015设置和控制双路MESFET功率器件的偏置状态，用于点对点通信或其他微波基站。MAX11014集成有两路完整的闭环模拟漏极电流控制器，用于工作在A类放大器的MESFET，而MAX11015针对AB类工作。这两种器件都集成有SRAM查找表(LUT)，用于保存温度和漏极电流补偿数据。\n 每种器件都包含两个高边电流监测放大器，以监测MESFET的漏极电流在取样电阻上的压降，其范围为0至625mV。外部采用二极管连接的晶体管用于监测MESFET的温度，内部温度传感器监测MAX11014/MAX11015管芯的本地温度。内部DAC通过控制栅极电压来设置电流取样电阻上的压 \n• 双通道漏极电流检测放大器 \n• 预设增益为4 \n• 在75mV至625mV检测电压范围内精度为±0.5% (MAX11014) \n• 取样电阻共模电压范围 \n• 0.5V至11V (MAX11014) \n• 5V至32V (MAX11015) \n• 低噪声栅极偏置输出，具备±10mA栅极驱动能力 \n• 快速嵌位和上电复位 \n• 12位DAC控制MESFET栅极电压 \n• 内部温度传感器/双通道外部温度传感器 \n• 内部12位ADC测量温度和电压 \n• 可通过引脚选择串行接口 \n• 3.4MHz I²C兼容接口 \n• 20MHz SPI/MICROWIR;

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Single-Chip, 8-Bit CCD Digitizer with Clamp and 6-Bit PGA

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Package：48-WFQFN 裸露焊盘；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 电源管理 - 专用 描述：IC CTLR LDMOS BIAS DUAL 48TQFN

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包装：盒 类别：开发板，套件，编程器 射频评估和开发套件，开发板 描述：EVAL KIT MAX11008

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包装：散装 类别：开发板，套件，编程器 射频评估和开发套件，开发板 描述：KIT EVAL FOR MAX11008 BIAS CTLR

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