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MBR1030	文件：509.76 Kbytes Page：2 Pages	Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton Features •Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR1030	文件：234.97 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGERANGE:30-100V CURRENT:10A FEATURES ◇Highsurgecapacity. ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications. ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. ◇Highcurrentcapacity,lowforwardvoltagedrop. ◇Guard	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
MBR1030	文件：434.48 Kbytes Page：3 Pages	10AmpSchottkyBarrierRectifier20to100Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MBR1030	文件：586.05 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER ReverseVoltage-20to100VoltsForwardCurrent-10.0Amperes FEATURES ♦TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ♦Constructionutilizesvoid-free moldedplastictechnique ♦Lowreverseleakage ♦Highforwardsurgecurrentcapability ♦	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
MBR1030	文件：509.74 Kbytes Page：2 Pages	Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton ThisseriesofSWITCHMODEpowerrectifiersusestheSchottkyBarrierprinciplewithaplatinumbarriermetal.Thesestate−of−the−artdeviceshavethefollowingfeatures: Features •Guard−RingforStressProtection •LowForwardVoltage •175°COperatingJunctionTemperature •EpoxyMeetsUL9	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR1030	文件：518.21 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MBR1030	文件：87.81 Kbytes Page：2 Pages	HighTjmLowIRRMSchottkyBarrierDiodes	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
MBR1030	文件：498.6 Kbytes Page：2 Pages	Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton ThisseriesofSWITCHMODEpowerrectifiersusestheSchottkyBarrierprinciplewithaplatinumbarriermetal.Thesestate−of−the−artdeviceshavethefollowingfeatures: Features •Guard−RingforStressProtection •LowForwardVoltage •175°COperatingJunctionTemperature •EpoxyMeetsUL9	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR1030	文件：377.07 Kbytes Page：2 Pages	Metalofsiliconrectifier,majoritycarrierconduction ReverseVoltage-20to200Volts ForwardCurrent-10.0Amperes FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Guardringforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •	GXELECTRONICSShandong Xinghe Minghui Electronics Co., Ltd 星合电子山东星合明辉电子有限公司	GXELECTRONICS
MBR1030	文件：226.2 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifier FEATURES •SchottkyBarrierChip •GuardRingDieConstructionforTransientProtection •LowPowerLoss/HighEfficiency •HighSurgeCapability •HighCurrentCapability，LowForwardVoltageDrop •PlasticMaterial：ULFlammability •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperforma	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
MAX1030BCEG
功能描述：
模数转换器 - ADC
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
2
结构：
Sigma-Delta
转换速率：
125 SPs to 8 KSPs
分辨率：
24 bit
输入类型：
Differential
信噪比：
107 dB
接口类型：
SPI
工作电源电压：
1.7 V to 3.6 V, 2.7 V to 5.25 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
VQFN-32

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