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BCR148	文件：885.7 Kbytes Page：12 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR148	文件：873.32 Kbytes Page：11 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR148F	文件：885.7 Kbytes Page：12 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR148F	文件：497.95 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuitdrivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=47kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR148S	文件：885.7 Kbytes Page：12 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR148S	文件：43.88 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconDigitalTransistorArray(Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit) NPNSiliconDigitalTransistorArray •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Two(galvaniv)internalisolatedTransistorsdrivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=47kΩ,R2=47KΩ)	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BCR148S	文件：497.95 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuitdrivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=47kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR148S	文件：873.32 Kbytes Page：11 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR148T	文件：497.95 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuitdrivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=47kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR148U	文件：497.95 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuitdrivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=47kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR148W	文件：34.77 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor(Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit) NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=47kΩ,R2=47kΩ)	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BCR148W	文件：885.7 Kbytes Page：12 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR148W	文件：497.95 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuitdrivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=47kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR148W	文件：873.32 Kbytes Page：11 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BGF148	文件：427.97 Kbytes Page：14 Pages	7lineESDandEMIinterfaceprotectiondevice	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BGY148A	文件：84.19 Kbytes Page：12 Pages	HFamplifiermodules DESCRIPTION TheBGY148AandBGY148Barethree-stageUHFamplifiermodulesinaSOT421Apackage.EachmoduleconsistsofthreeNPNsiliconplanartransistordiesmountedtogetherwithmatchingandbiascircuitcomponentsonametallizedceramicsubstrate.Themodulesproduceanoutputpowerof3W	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BGY148B	文件：84.19 Kbytes Page：12 Pages	HFamplifiermodules DESCRIPTION TheBGY148AandBGY148Barethree-stageUHFamplifiermodulesinaSOT421Apackage.EachmoduleconsistsofthreeNPNsiliconplanartransistordiesmountedtogetherwithmatchingandbiascircuitcomponentsonametallizedceramicsubstrate.Themodulesproduceanoutputpowerof3W	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BT148	文件：43.74 Kbytes Page：6 Pages	Thyristorslogiclevel GENERALDESCRIPTION Glasspassivated,sensitivegatethyristorsinaplasticenvelope,intendedforuseingeneralpurposeswitchingandphasecontrolapplications.Thesedevicesareintendedtobeinterfaceddirectlytomicrocontrollers,logicintegratedcircuitsandotherlowpowergatetrigger	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BT148W	文件：53.38 Kbytes Page：7 Pages	Thyristorslogiclevel GENERALDESCRIPTION Glasspassivated,sensitivegatethyristorsinaplasticenvelopesuitableforsurfacemounting,intendedforuseingeneralpurposeswitchingandphasecontrolapplications.Thesedevicesareintendedtobeinterfaceddirectlytomicrocontrollers,logicintegratedcircuits	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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详细参数

型号：
MAWD-148
功能描述：
RELAY, MIL SPEC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市昊创电子有限公司	MAWD-188	TELEDYNE	专业铁帽		520	原装铁帽专营,代理渠道量大可订货	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	MAWD-188	TELEDYNE	20+	原装	67500	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	MAWD-188	TELEDYNE			13000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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