MAT02数据手册ADI中文资料规格书

描述 Description

此器件已经停产。请参考MAT12。

MAT02系列NPN双通道单芯片晶体管的设计经过优化，提供极低噪声、低漂移和低rBE特性。Precision Monolithics专有的氮化硅“三重钝化”工艺使器件的关键参数能在宽温度范围和长时间内保持稳定。此外，MAT02能够在宽集电极电流范围内保持高电流增益(hFE)。MAT02的优异特性包括失调电压最大值为50µV（A/E级）和150 μV（F级）。在军用温度范围和25°C下能保证器件的额定性能。

发射极-基极结上提供了输入保护二极管，防止器件特性因为发射极电流反向偏置而下降。保护二极管形成的寄生隔离结将基板箝位在发射极较低负电压，从而在晶体管之间实现完全隔离。

MAT02适用于任何优先考虑低噪声要求的应用。它可以用作输入级，使放大器的噪声电压在100 Hz时小于1.0 nV/√Hz。其它应用，如对数和反对数电路等，则可以使用MAT02的出色对数一致性。体电阻典型值仅为0.3 Ω至0.4 Ω。当集电极电流在1µA至10 mA范围时，MAT02的电气特性接近于理想晶体管。针对需要多个器件的应用，请参阅四通道匹配晶体管MAT04数据手册。