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MAP6KE51AE3数据手册电路保护的TVS-二极管规格书PDF
| 厂商型号 |
MAP6KE51AE3 |
| 参数属性 | MAP6KE51AE3 封装/外壳为T-18，轴向；包装为散装；类别为电路保护的TVS-二极管；MAP6KE51AE3应用范围：通用；产品描述：TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC T18 |
| 功能描述 | High-Reliability Diodes |
| 封装外壳 | T-18，轴向 |
| 制造商 | Microchip Microchip Technology |
| 中文名称 | 微芯科技 微芯科技股份有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 16:40:00 |
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MAP6KE51AE3规格书详情
描述 Description
600W Transient Voltage SuppressorHigh Reliability controlled devicesEconomical series for thru hole mountingUnidirectional and Bidirectional constructionSelections for 5.8 to 171 V standoff voltages (Vwm) ROHS, PB Free--> ROHS
简介
MAP6KE51AE3属于电路保护的TVS-二极管。由制造生产的MAP6KE51AE3TVS - 二极管TVS 二极管是一种半导体器件，可用于限制或阻止特定电压电平的浪涌。该系列产品使用二极管（只能单向导电的元器件）进行设计。TVS 是 Transient Voltage Suppression/Suppressor（瞬态电压抑制/抑制器）的首字母缩写。类型包括转向（轨至轨）或齐纳，具有单向通道、双向通道、电压 – 反关态、电压 – 击穿、电压 – 箝位、电流 – 峰值脉冲、功率 – 峰值脉冲和电源线路保护等特征。
技术参数
更多- 产品编号：
MAP6KE51AE3
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
电路保护 > TVS - 二极管
- 系列：
Military, MIL-PRF-19500
- 包装：
散装
- 类型：
齐纳
- 电压 - 反向断态（典型值）：
43.6V
- 电压 - 击穿（最小值）：
48.5V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
70.1V
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
8.6A
- 功率 - 峰值脉冲：
600W
- 电源线路保护：
无
- 应用：
通用
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
T-18，轴向
- 供应商器件封装：
T-18
- 描述：
TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC T18
