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MA789	文件：62.52 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Diodes (SBD)	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器
BD789	文件：176.26 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticSiliconPowerTransistors ComplementaryPlasticSiliconPowerTransistors ...designedforlowpoweraudioamplifierandlow–current,highspeedswitchingapplications. •HighCollector–EmitterSustainingVoltage— VCEO(sus)=80Vdc(Min)—BD789,BD790 =100Vdc(Min)—BD791,BD792 •Hi	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
BD789	文件：109.02 Kbytes Page：2 Pages	ComplementaryPlasticSiliconPowerTransistors ...designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current,highspeedswitchingapplications. •HighCollector-EmitterSustainingVoltage—VCEO(sus)=80Vdc(Win)—BD789,BD790=100Vdc(Min)—BD791,BD792 •HighDCCurrentGain@IQ=200mAdchpE=40-250 •LowCollector-EmitterSatura	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
FCX789A	文件：51.93 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconPowerSwitchingTransistor Features ●2Wpowerdissipation. ●8Apeakpulsecurrent. ●ExcellentHFEcharacteristicsupto10Amps. ●ExtremelylowsaturationvoltageE.g.10mvTyp.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
FCX789A	文件：95.81 Kbytes Page：3 Pages	SOT89PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTOR Features •BVCEO>-25V •IC=-3AhighContinuousCurrent •ICM=-8APeakPulseCurrent •LowsaturationvoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
FCX789A	文件：169.58 Kbytes Page：3 Pages	PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTOR FEATURES 2WPOWERDISSIPATION 8APeakPulseCurrent ExcellentHFECharacteristicsupto10Amps LowSaturationVoltageE.g.10mvTyp.	Zetex Zetex Semiconductors
FOX789A	文件：215.07 Kbytes Page：1 Pages	TCXOSMDTEMPERATURECOMPENSATEDCRYSTALOSCILLATOR	FOX Fox Electronics
FZT789A	文件：82.67 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERHIGHGAINTRANSISTOR FEATURES Extremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)93mΩat3A Gainof200atIC=2Ampsandverylowsaturationvoltage APPLICATIONS *Batterypoweredcircuits,fastchargeconverters	Zetex Zetex Semiconductors
FZT789A	文件：94.83 Kbytes Page：2 Pages	SOT223PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERHIGHGAINTRANSISTOR Features •BVCEO>-25V •IC=-3AhighContinuousCurrent •LowsaturationvoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
FZT789A	文件：38.83 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlanarMediumPowerHighGainTransistor Features ●Lowequivalenton-resistance;RCE(sat)93mΩat3A. ●Gainof300atIC=2AmpsandVerylowsaturationvoltage.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
FZT789A-PNP	文件：82.67 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERHIGHGAINTRANSISTOR FEATURES Extremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)93mΩat3A Gainof200atIC=2Ampsandverylowsaturationvoltage APPLICATIONS *Batterypoweredcircuits,fastchargeconverters	Zetex Zetex Semiconductors
FZT789AQTA	文件：535.64 Kbytes Page：7 Pages	25VPNPMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT223 Features •BVCEO>-25V •IC=-3AhighContinuousCurrent •LowsaturationvoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
FZT789ATA	文件：535.64 Kbytes Page：7 Pages	25VPNPMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT223 Features •BVCEO>-25V •IC=-3AhighContinuousCurrent •LowsaturationvoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
H789A	文件：128.88 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONTRANSISTOR APPLICATIONS Motordrivers.	HuashanHuashan Electronic Devices Co 华汕电子器件
HFBR-789BEZ	文件：275.21 Kbytes Page：22 Pages	PluggableParallelFiberOpticModules,TransmitterandReceiver	AVAGOAvago 安华高安华高科技
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详细参数

型号：
MA789
制造商：
PANASONIC
制造商全称：
Panasonic Semiconductor
功能描述：
Schottky Barrier Diodes(SBD)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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