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M7S65TDJ-R	文件：286.92 Kbytes Page：2 Pages	9x14 mm, 5.0 or 3.3 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator	MTRONPTI mtronpti	MTRONPTI
AOB7S65	文件：1.10572 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Serverandtelecompowersupplies •Switchmodepowersupplies(SMPS) •Powerfactorcorrection	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOB7S65	文件：299.08 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOB7S65	文件：308.21 Kbytes Page：7 Pages	650V7AaMOSPowerTransistor GeneralDescription TheAOT7S65L&AOB7S65L&AOTF7S65L&AOTF7S65havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguar	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOB7S65L	文件：314.3 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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AOD7S65	文件：310.25 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=7.0A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=650V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-L	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOI7S65	文件：318.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
M7S65TDJ-R
制造商：
MTRONPTI
制造商全称：
MTRONPTI
功能描述：
9x14 mm, 5.0 or 3.3 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星佑电子有限公司	M7SMA	OTHER/其它	21+	原厂原封	5000	全新原装现货价优	询价
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上海市鑫鸿达电子	M7-T	TBK	2022+		671	全新原装货期两周	询价
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更多M7S65TDJ-R供应商更新时间2025-5-21 9:31:00

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