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M74HCT125M1R	文件：254.14 Kbytes Page：10 Pages	QUADBUSBUFFERS3-STATE DESCRIPTION TheM54/74HCT125/126arehighspeedCMOSQUADBUSBUFFER(3-STATE)FABRICATEDINSILICONGATEC2MOStechnology. ■HIGHSPEED tPD=12ns(TYP.)ATVCC=5V ■LOWPOWERDISSIPATION ICC=4µA(MAX.)AT25°C ■OUTPUTDRIVECAPABILITY 15LSTTLLOADS ■BALANCEDP	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
M74HCT125M1R	文件：172.55 Kbytes Page：9 Pages	QUADBUSBUFFER(3-STATE)	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
M74HCT125M1R	文件：178.9 Kbytes Page：9 Pages	QUADBUSBUFFER(3-STATE) DESCRIPTION TheM74HCT125isanhighspeedCMOSQUADBUFFER(3-STATE)fabricatedwithsilicongateC2MOStechnology. ■HIGHSPEED: tPD=13ns(TYP.)atVCC=4.5V ■LOWPOWERDISSIPATION: ICC=4µA(MAX.)atTA=25°C ■COMPATIBLEWITHTTLOUTPUTS: VIH=2V(MIN.)VIL=0.8V	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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QUADBUSBUFFERS3-STATE

DESCRIPTION TheM54/74HCT125/126arehighspeedCMOSQUADBUSBUFFER(3-STATE)FABRICATEDINSILICONGATEC2MOStechnology. ■HIGHSPEED tPD=12ns(TYP.)ATVCC=5V ■LOWPOWERDISSIPATION ICC=4µA(MAX.)AT25°C ■OUTPUTDRIVECAPABILITY 15LSTTLLOADS ■BALANCEDP

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QUADBUSBUFFER(3-STATE)

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