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M74HCT10RM13TR	文件：173 Kbytes Page：8 Pages	TRIPLE 3-INPUT NAND GATE DESCRIPTION TheM74HCT10isanhighspeedCMOSTRIPLE3-INPUTNANDGATEfabricatedwithsilicongateC2MOStechnology. Theinternalcircuitiscomposedof3stagesincludingbufferoutput,whichenableshighnoiseimmunityandstableoutput. TheM74HCT10isdesignedtodirectlyinterfaceHSC2MO	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团

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M74HCT10RM13TR

文件：173 Kbytes

Page：8 Pages

TRIPLE 3-INPUT NAND GATE

DESCRIPTION TheM74HCT10isanhighspeedCMOSTRIPLE3-INPUTNANDGATEfabricatedwithsilicongateC2MOStechnology. Theinternalcircuitiscomposedof3stagesincludingbufferoutput,whichenableshighnoiseimmunityandstableoutput. TheM74HCT10isdesignedtodirectlyinterfaceHSC2MO

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

详细参数

型号：
M74HCT10RM13TR
功能描述：
逻辑门 Triple 3-Input NAND
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
产品：
OR
逻辑系列：
LVC
栅极数量：
2
线路数量（输入/输出）：
2/1
高电平输出电流：
- 16 mA
低电平输出电流：
16 mA
传播延迟时间：
3.8 ns
电源电压-最大：
5.5 V
电源电压-最小：
1.65 V
最大工作温度：
+ 125 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DCU-8
封装：
Reel

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