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M74HCT10M1R中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

M74HCT10M1R
厂商型号

M74HCT10M1R

功能描述

TRIPLE 3-INPUT NAND GATE

文件大小

173 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体(ST)集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-23 16:38:00

M74HCT10M1R规格书详情

DESCRIPTION

The M74HCT10 is an high speed CMOS TRIPLE 3-INPUT NAND GATE fabricated with silicon gate C2MOS technology.

The internal circuit is composed of 3 stages including buffer output, which enables high noise immunity and stable output.

The M74HCT10 is designed to directly interface HSC2MOS systems with TTL and NMOS components.

All inputs are equipped with protection circuits against static discharge and transient excess voltage.

■ HIGH SPEED: tPD = 14ns (TYP.) at VCC = 4.5V

■ LOW POWER DISSIPATION: ICC = 1µA(MAX.) at TA=25°C

■ COMPATIBLE WITH TTL OUTPUTS : VIH = 2V (MIN.) VIL = 0.8V (MAX)

■ BALANCED PROPAGATION DELAYS: tPLH ≅ tPHL

■ SYMMETRICAL OUTPUT IMPEDANCE: |IOH| = IOL = 4mA (MIN)

■ PIN AND FUNCTION COMPATIBLE WITH 74 SERIES 10

产品属性

  • 型号:

    M74HCT10M1R

  • 功能描述:

    逻辑门 Triple 3-Input NAND

  • RoHS:

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 产品:

    OR

  • 逻辑系列:

    LVC

  • 栅极数量:

    2

  • 线路数量(输入/输出):

    2/1

  • 高电平输出电流:

    - 16 mA

  • 低电平输出电流:

    16 mA

  • 传播延迟时间:

    3.8 ns

  • 电源电压-最大:

    5.5 V

  • 电源电压-最小:

    1.65 V

  • 最大工作温度:

    + 125 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    DCU-8

  • 封装:

    Reel

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