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M68AW128ML70ZB6T	文件：111.83 Kbytes Page：20 Pages	2 Mbit (128K x16) 3.0V Asynchronous SRAM FEATURESSUMMARY ■SUPPLYVOLTAGE:2.7to3.3V ■128Kx16bitsSRAMwithOUTPUTENABLE ■EQUALCYCLEandACCESSTIME:55ns ■SINGLEBYTEREAD/WRITE ■LOWSTANDBYCURRENT ■LOWVCCDATARETENTION:1.5V ■TRI-STATECOMMONI/O ■AUTOMATICPOWERDOWN	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
M68AW128ML70ZB6T	文件：335.61 Kbytes Page：22 Pages	2 Mbit (128K x16) 3.0V Asynchronous SRAM	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
M68AW128ML70ZB6	文件：335.61 Kbytes Page：22 Pages	2Mbit(128Kx16)3.0VAsynchronousSRAM	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
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M68AW128ML70ZB6E	文件：335.61 Kbytes Page：22 Pages	2Mbit(128Kx16)3.0VAsynchronousSRAM	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
M68AW128ML70ZB6F	文件：335.61 Kbytes Page：22 Pages	2Mbit(128Kx16)3.0VAsynchronousSRAM	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团

详细参数

型号：
M68AW128ML70ZB6T
功能描述：
静态随机存取存储器 2 MBIT(128K X16)静态随机存取存储器
RoHS：
否
制造商：
Cypress Semiconductor
存储容量：
16 Mbit
组织：
1 M x 16
访问时间：
55 ns
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.2 V
最大工作电流：
22 uA
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
TSOP-48
封装：
Tray

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