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M68AW128ML70ZB6T

2 Mbit (128K x16) 3.0V Asynchronous SRAM

FEATURES SUMMARY ■ SUPPLY VOLTAGE: 2.7 to 3.3V ■ 128K x 16 bits SRAM with OUTPUT ENABLE ■ EQUAL CYCLE and ACCESS TIME: 55ns ■ SINGLE BYTE READ/WRITE ■ LOW STANDBY CURRENT ■ LOW VCC DATA RETENTION: 1.5V ■ TRI-STATE COMMON I/O ■ AUTOMATIC POWER DOWN

文件:111.83 Kbytes 页数:20 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

M68AW128ML70ZB6T

2 Mbit (128K x16) 3.0V Asynchronous SRAM

文件:335.61 Kbytes 页数:22 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

M68AW128ML70ZB6

2 Mbit (128K x16) 3.0V Asynchronous SRAM

FEATURES SUMMARY ■ SUPPLY VOLTAGE: 2.7 to 3.3V ■ 128K x 16 bits SRAM with OUTPUT ENABLE ■ EQUAL CYCLE and ACCESS TIME: 55ns ■ SINGLE BYTE READ/WRITE ■ LOW STANDBY CURRENT ■ LOW VCC DATA RETENTION: 1.5V ■ TRI-STATE COMMON I/O ■ AUTOMATIC POWER DOWN

文件:111.83 Kbytes 页数:20 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

M68AW128ML70ZB6

2 Mbit (128K x16) 3.0V Asynchronous SRAM

文件:335.61 Kbytes 页数:22 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

M68AW128ML70ZB6E

2 Mbit (128K x16) 3.0V Asynchronous SRAM

文件:335.61 Kbytes 页数:22 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

详细参数

  • 型号:

    M68AW128ML70ZB6T

  • 功能描述:

    静态随机存取存储器 2 MBIT(128K X16)静态随机存取存储器

  • RoHS:

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor

  • 存储容量:

    16 Mbit

  • 组织:

    1 M x 16

  • 访问时间:

    55 ns

  • 电源电压-最大:

    3.6 V

  • 电源电压-最小:

    2.2 V

  • 最大工作电流:

    22 uA

  • 最大工作温度:

    + 85 C

  • 最小工作温度:

    - 40 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    TSOP-48

  • 封装:

    Tray

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多M68AW128ML70ZB6T供应商 更新时间2025-10-4 10:20:00