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M68AR016DN70ZB6T中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

M68AR016DN70ZB6T
厂商型号

M68AR016DN70ZB6T

功能描述

16 Mbit 1M x16 1.8V Asynchronous SRAM

文件大小

145.25 Kbytes

页面数量

19

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-7 22:30:00

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M68AR016DN70ZB6T规格书详情

SUMMARY DESCRIPTION

The M68AR024D is a 16 Mbit (16,777,216 bit) Low Power SRAM fabricated in STMicroelectronics advanced CMOS technology, organized as 1,048,576 words by 16 bits. The device exhibits fully static operation requiring no external clocks or timing strobes.

FEATURES SUMMARY

■ SUPPLY VOLTAGE: 1.65 to 1.95V

■ I/O SUPPLY VOLTAGE: 1.5 to 1.95V

■ 1M WORDS x 16 bits LOW POWER SRAM

■ EQUAL CYCLE and ACCESS TIME: 70ns

■ LOW VCC DATA RETENTION: 1.0V

■ LOW STANDBY CURRENT

■ TRI-STATE COMMON I/O

■ SINGLE BYTE READ/WRITE

■ AUTOMATIC POWER DOWN

产品属性

  • 型号:

    M68AR016DN70ZB6T

  • 制造商:

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全称:

    STMicroelectronics

  • 功能描述:

    16 Mbit 1M x16 1.8V Asynchronous SRAM

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