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MBR6060	文件：123.16 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyPowerDiode,60A Features •FastSwitching •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •Highefficiency,lowpowerloss •NormalandReversepolarity	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
MBR6060	文件：81.79 Kbytes Page：1 Pages	SCHOTTKYDIODESSTUDTYPE60A	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MBR6060	文件：807.46 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerSchottkyDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MBR6060CT	文件：134.04 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER	SMCSangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd 烧结金属	SMC
MBR6060CT	文件：829.63 Kbytes Page：4 Pages	MBR6060CTSCHOTTKYRECTIFIER Features 150CTJoperation Centertapconfiguration Lowforwardvoltagedrop Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationfor enhanced mechanicalstrengthandmoistureresistance Highfrequencyoperation Guardringforenhancedruggednessandlongterm reliability ThisisaPb−F	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
MBR6060CT	文件：278.99 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifier FEATURES ·MultilayerMetal-SiliconPotentialStructure. ·LowLeakageCurrent. ·HighCurrentCapability,HighEfficiency. ·HighJunctionTemperatureCapability.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MBR6060FCT	文件：245.47 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS Features TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique Lowreverseleakage Highforwardsurgecurrentcapability Hightemperaturesolderingguaranteed250C/10seconds atterminals	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MBR6060GPT	文件：902.12 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierRectifiers ProductorCharacter MultilayerMetal-SiliconPotentialStructure. LowLeakageCurrent. HighCurrentCapability,HighEfficiency. HighJunctionTemperatureCapability. RoHsProduct.	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
MBR6060PT	文件：479.39 Kbytes Page：2 Pages	60AMPS.SchottkyBarrierRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR6060PT	文件：99.5 Kbytes Page：2 Pages	60.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers FEATURES -Lowpowerloss,highefficiency -Guardringforovervoltageprotection -Highsurgecurrentcapability -ULRecognizedFile#E-326243 -ComplianttoRoHSDirective2011/65/EUand inaccordancetoWEEE2002/96/EC -Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21definition	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC

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详细参数

型号：
M6060C
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Dual Common-Cathode Schottky Rectifier

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更多M6060C供应商更新时间2025-7-26 14:02:00

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