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M5M29GB160BWG	文件：240.04 Kbytes Page：25 Pages	16,777,216-BIT (2097,152-WORD BY 8-BIT / 1048,576-WORD BY16-BIT) CMOS 3.3V-ONLY, BLOCK ERASE FLASH MEMORY DESCRIPTION The MITSUBISHI Mobile FLASH M5M29GB/T161BWG are 3.3V-only high speed 16,777,216-bit CMOS boot block Flash Memories with alternating BGO (Back Ground Operation) feature. The BGO feature of the device allows Program or Erase operations to be performed in one bank while the device simult 文件：240.04 Kbytes 页数：25 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
M5M29GB160BWG	文件：213.11 Kbytes Page：23 Pages	16,777,216-BIT (1048,576-WORD BY16-BIT) CMOS 3.3V-ONLY, BLOCK ERASE FLASH MEMORY DESCRIPTION The MITSUBISHI Mobile FLASH M5M29GB/T161BWG are 3.3V-only high speed 16,777,216-bit CMOS boot block Flash Memories with alternating BGO (Back Ground Operation) feature. The BGO feature of the device allows Program or Erase operations to be performed in one bank while the device simult 文件：213.11 Kbytes 页数：23 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
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详细参数

型号：
M5M29GB160BWG
制造商：
MITSUBISHI
制造商全称：
Mitsubishi Electric Semiconductor
功能描述：
16,777,216-BIT(1048,576-WORD BY16-BIT) CMOS 3.3V-ONLY, BLOCK ERASE FLASH MEMORY

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