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M59DR032EA10ZB6T中文资料IC FLASH 32M PARALLEL 48TFBGA数据手册ST规格书
| 厂商型号 |
M59DR032EA10ZB6T |
| 参数属性 | M59DR032EA10ZB6T 封装/外壳为48-LFBGA；包装为托盘；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TFBGA |
| 功能描述 | IC FLASH 32M PARALLEL 48TFBGA |
| 封装外壳 | 48-LFBGA |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-6 16:50:00 |
| 人工找货 | M59DR032EA10ZB6T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
M59DR032EA10ZB6T规格书详情
简介
M59DR032EA10ZB6T属于集成电路（IC）的存储器。由制造生产的M59DR032EA10ZB6T存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
技术参数
更多- 制造商编号
：M59DR032EA10ZB6T
- 生产厂家
：ST
- 存储器格式
：闪存
- 技术
：FLASH - NOR
- 存储容量
：32Mb （2M x 16）
- 写周期时间 - 字，页
：100ns
- 访问时间
：100ns
- 存储器接口
：并联
- 电压 - 电源
：1.65 V ~ 2.2 V
- 工作温度
：-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型
：表面贴装
- 封装/外壳
：48-LFBGA
- 供应商器件封装
：48-TFBGA（7x12）
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
25+23+ |
SOP |
22004 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
ST |
25+ |
BGA |
3200 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
询价 | ||
ST |
25+ |
BGA |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | ||
ST/意法 |
2406+ |
BGA |
11260 |
诚信经营!进口原装!量大价优! |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
BGA |
22055 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
ST |
23+ |
BGA |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
ST |
24+ |
BGA |
2434 |
询价 | |||
STMicroelectronics |
18+ |
ICFLASH32MBIT100NS48TFBG |
6800 |
公司原装现货 |
询价 | ||
ST |
23+ |
48TFBGA (7x12) |
9000 |
原装正品，支持实单 |
询价 |
