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M59DR008E120ZB6T

文件：267.87 Kbytes

Page：37 Pages

8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory

DESCRIPTION TheM59DR008isan8Mbitnon-volatileFlashmemorythatmaybeerasedelectricallyatblocklevelandprogrammedin-systemonaWord-by-Wordbasisusinga1.65Vto2.2VVDDsupplyforthecircuitry.ForProgramandEraseoperationsthenecessaryhighvoltagesaregeneratedinternally

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详细参数

型号：
M59DR008E120ZB6T
功能描述：
闪存 8M(512Kx16) 120ns
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
数据总线宽度：
1 bit
存储类型：
Flash
存储容量：
2 MB
结构：
256 K x 8
接口类型：
SPI
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.3 V
最大工作电流：
15 mA
工作温度：
- 40 C to + 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装：
Reel

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