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M58LT256JSB中文资料256 Mbit (16 Mb × 16, multiple bank, multilevel, burst) 1.8 V supply, secure Flash memories数据手册ST规格书

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厂商型号

M58LT256JSB

参数属性

M58LT256JSB 封装/外壳为80-LBGA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 80LBGA

功能描述

256 Mbit (16 Mb × 16, multiple bank, multilevel, burst) 1.8 V supply, secure Flash memories

封装外壳

80-LBGA

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-22 23:01:00

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技术参数

  • 产品编号:

    M58LT256JSB8ZA6F TR

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    FLASH - NOR

  • 存储容量:

    256Mb(16M x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    85ns

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 2V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    80-LBGA

  • 供应商器件封装:

    80-LBGA(10x12)

  • 描述:

    IC FLASH 256MBIT PARALLEL 80LBGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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