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M58LT256JSB中文资料256 Mbit (16 Mb × 16, multiple bank, multilevel, burst) 1.8 V supply, secure Flash memories数据手册ST规格书

厂商型号 |
M58LT256JSB |
参数属性 | M58LT256JSB 封装/外壳为80-LBGA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 80LBGA |
功能描述 | 256 Mbit (16 Mb × 16, multiple bank, multilevel, burst) 1.8 V supply, secure Flash memories |
封装外壳 | 80-LBGA |
制造商 | ST STMicroelectronics |
中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-22 23:01:00 |
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技术参数
- 产品编号:
M58LT256JSB8ZA6F TR
- 制造商:
Micron Technology Inc.
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 存储器类型:
非易失
- 存储器格式:
闪存
- 技术:
FLASH - NOR
- 存储容量:
256Mb(16M x 16)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
85ns
- 电压 - 供电:
1.7V ~ 2V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
80-LBGA
- 供应商器件封装:
80-LBGA(10x12)
- 描述:
IC FLASH 256MBIT PARALLEL 80LBGA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
2000 |
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询价 | ||
ST |
2016+ |
BGA |
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ST |
24+ |
BGA |
20000 |
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ST |
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BGA |
2000 |
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ST/意法 |
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ST/意法 |
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BGA |
12500 |
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询价 | ||
Micron |
22+ |
80LBGA (10x12) |
9000 |
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ST/意法 |
21+ |
BGA |
7500 |
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NUMONYX |
25+ |
BGA |
2500 |
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询价 | ||
ST |
23+ |
BGA |
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