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M58LR016C100ZC6T	文件：389.53 Kbytes Page：51 Pages	16 Mbit 1Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory DESCRIPTION TheM58MR016isa16Mbitnon-volatileFlashmemorythatmaybeerasedelectricallyatblocklevelandprogrammedin-systemonaWord-byWordbasisusinga1.7Vto2.0VVDDsupplyforthecircuitry.ForProgramandEraseoperationsthenecessaryhighvoltagesaregeneratedinternally.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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M58LR016C100ZC6T

文件：389.53 Kbytes

Page：51 Pages

16 Mbit 1Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory

DESCRIPTION TheM58MR016isa16Mbitnon-volatileFlashmemorythatmaybeerasedelectricallyatblocklevelandprogrammedin-systemonaWord-byWordbasisusinga1.7Vto2.0VVDDsupplyforthecircuitry.ForProgramandEraseoperationsthenecessaryhighvoltagesaregeneratedinternally.

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
M58LR016C100ZC6T
制造商：
STMICROELECTRONICS
制造商全称：
STMicroelectronics
功能描述：
16 Mbit 1Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory

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更多M58LR016C100ZC6T供应商更新时间2024-5-10 16:28:00

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