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M58CR064Q12ZB6T	文件：1.00019 Mbytes Page：70 Pages	64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory SUMMARYDESCRIPTION TheM58CR064isa64Mbit(4Mbitx16)non-volatileFlashmemorythatmaybeerasedelectricallyatblocklevelandprogrammedin-systemonaWord-by-Wordbasisusinga1.65Vto2VVDDsupplyforthecircuitryanda1.65Vto3.3VVDDQsupplyfortheInput/Outputpins.Anoption	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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M58CR064Q12ZB6T

文件：1.00019 Mbytes

Page：70 Pages

64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory

SUMMARYDESCRIPTION TheM58CR064isa64Mbit(4Mbitx16)non-volatileFlashmemorythatmaybeerasedelectricallyatblocklevelandprogrammedin-systemonaWord-by-Wordbasisusinga1.65Vto2VVDDsupplyforthecircuitryanda1.65Vto3.3VVDDQsupplyfortheInput/Outputpins.Anoption

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
M58CR064Q12ZB6T
制造商：
STMICROELECTRONICS
制造商全称：
STMicroelectronics
功能描述：
64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory

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更多M58CR064Q12ZB6T供应商更新时间2025-5-5 13:30:00

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