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M57962中文资料HYBRID IC FOR DRIVING IGBT MODULES数据手册MITSUBISHI规格书

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厂商型号

M57962

参数属性

M57962 封装/外壳为14-SIP 模块,12 引线;包装为管件;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR PWR MGMT MOSFET

功能描述

HYBRID IC FOR DRIVING IGBT MODULES

封装外壳

14-SIP 模块,12 引线

制造商

MITSUBISHI Mitsubishi Electric Semiconductor

中文名称

三菱电机 三菱电机株式会社

数据手册

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更新时间

2025-9-23 15:54:00

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技术参数

  • 产品编号:

    M57962L-71R-02

  • 制造商:

    Powerex Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    低端

  • 通道类型:

    单路

  • 栅极类型:

    IGBT

  • 电压 - 供电:

    14V ~ 15V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    5A,5A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    600ns,400ns

  • 工作温度:

    -20°C ~ 60°C

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    14-SIP 模块,12 引线

  • 供应商器件封装:

    模块

  • 描述:

    IC GATE DRVR PWR MGMT MOSFET

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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2023+
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