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M470T6554CZ0-CLE7	文件：328.84 Kbytes Page：18 Pages	DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC Features •Performancerange •JEDECstandard1.8V±0.1VPowerSupply •VDDQ=1.8V±0.1V •200MHzfCKfor400Mb/sec/pin,267MHzfCKfor533Mb/sec/pin,333MHzfCKfor667Mb/sec/pin,400MHzfCKfor800Mb/sec/pin •4Banks •PostedCAS •ProgrammableCASLatency:3,4,5 •ProgrammableAd	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung

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功能描述

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M470T6554CZ0-CLE7

文件：328.84 Kbytes

Page：18 Pages

DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC

Features •Performancerange •JEDECstandard1.8V±0.1VPowerSupply •VDDQ=1.8V±0.1V •200MHzfCKfor400Mb/sec/pin,267MHzfCKfor533Mb/sec/pin,333MHzfCKfor667Mb/sec/pin,400MHzfCKfor800Mb/sec/pin •4Banks •PostedCAS •ProgrammableCASLatency:3,4,5 •ProgrammableAd

SamsungSamsung Group

三星三星半导体

Samsung

详细参数

型号：
M470T6554CZ0-CLE7
制造商：
SAMSUNG
制造商全称：
Samsung semiconductor
功能描述：
DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC

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更多M470T6554CZ0-CLE7供应商更新时间2024-5-17 11:08:00

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