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M470T2953BY3-LD5/CC	文件：328.21 Kbytes Page：19 Pages	200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC Features •Performancerange •JEDECstandard1.8V±0.1VPowerSupply •VDDQ=1.8V±0.1V •200MHzfCKfor400Mb/sec/pin,267MHzfCKfor533Mb/sec/pin •4Banks •PostedCAS •ProgrammableCASLatency:3,4,5 •ProgrammableAdditiveLatency:0,1,2,3and4 •WriteLatency(WL)=Re	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
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200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC

Features •Performancerange •JEDECstandard1.8V±0.1VPowerSupply •VDDQ=1.8V±0.1V •200MHzfCKfor400Mb/sec/pin,267MHzfCKfor533Mb/sec/pin •4Banks •PostedCAS •ProgrammableCASLatency:3,4,5 •ProgrammableAdditiveLatency:0,1,2,3and4 •WriteLatency(WL)=Re

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三星三星半导体

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