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M30042040108X0PWAY集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

厂商型号 |
M30042040108X0PWAY |
参数属性 | M30042040108X0PWAY 封装/外壳为8-WDFN 裸露焊盘;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC RAM 4MBIT 108MHZ 8DFN |
功能描述 | High Performance Serial MRAM Memory |
封装外壳 | 8-WDFN 裸露焊盘 |
文件大小 |
1.14047 Mbytes |
页面数量 |
52 页 |
生产厂商 | RENESAS |
中文名称 | 瑞萨 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-10 23:00:00 |
人工找货 | M30042040108X0PWAY价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
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M30042040108X0PWAY规格书详情
特性 Features
Interface
• Serial Peripheral Interface QSPI (4-4-4)
• Single Data Rate Mode: 108MHz
• Double Data Rate Mode: 54MHz
Technology
• 40nm pMTJ STT-MRAM
Virtually unlimited Endurance and Data Retention (see
Endurance and Data Retention specification in Table 31)
Density
• 4Mb, 8Mb, 16Mb
Operating Voltage Range
• VCC: 1.71V – 2.00V
• VCC: 2.70V – 3.60V
Operating Temperature Range
• Industrial: -40°C to 85°C
• Industrial Plus: -40°C to 105°C
Packages
• 8-pad DFN (WSON) (5.0mm x 6.0mm)
• 8-pin SOIC (5.2mm x 5.2mm)
Data Protection
• Hardware Based: Write Protect Pin (WP#)
Software Based: Address Range Selectable through
Configuration bits (Top/Bottom, Block Protect[2:0])
产品属性
- 产品编号:
M30042040108X0PWAY
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
托盘
- 存储器类型:
非易失
- 存储器格式:
RAM
- 技术:
MRAM(磁阻式 RAM)
- 存储容量:
4Mb(1M x 4)
- 电压 - 供电:
2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:
-40°C ~ 105°C
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-WDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:
8-DFN(5x6)
- 描述:
IC RAM 4MBIT 108MHZ 8DFN
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞萨)/IDT |
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DFN8(5x6) |
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