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M29W800DT70ZE6E	文件：1.10395 Mbytes Page：52 Pages	8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory Description TheM29W800Disa8-Mbit(1Mbitx8or512Kbitsx16)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply.Onpower-upthememorydefaultstoitsreadmodewhereitcanbereadinthesame	NUMONYXNUMONYX 恒忆	NUMONYX
M29W800DT70ZE6E	文件：651.39 Kbytes Page：41 Pages	8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory TheM29W800Disa8Mbit(1Mbx8or512Kbx16)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply. Onpower-upthememorydefaultstoitsReadmodewhereitcanbereadinthesamewayasaROMor	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
M29W800DT70ZE6F	文件：1.10395 Mbytes Page：52 Pages	8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory Description TheM29W800Disa8-Mbit(1Mbitx8or512Kbitsx16)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply.Onpower-upthememorydefaultstoitsreadmodewhereitcanbereadinthesame	NUMONYXNUMONYX 恒忆	NUMONYX
M29W800DT70ZE6F	文件：651.39 Kbytes Page：41 Pages	8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory TheM29W800Disa8Mbit(1Mbx8or512Kbx16)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply. Onpower-upthememorydefaultstoitsReadmodewhereitcanbereadinthesamewayasaROMor	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
M29W800DT70ZE6T	文件：1.10395 Mbytes Page：52 Pages	8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory Description TheM29W800Disa8-Mbit(1Mbitx8or512Kbitsx16)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply.Onpower-upthememorydefaultstoitsreadmodewhereitcanbereadinthesame	NUMONYXNUMONYX 恒忆	NUMONYX
M29W800DT70ZE6T	文件：651.39 Kbytes Page：41 Pages	8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory TheM29W800Disa8Mbit(1Mbx8or512Kbx16)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply. Onpower-upthememorydefaultstoitsReadmodewhereitcanbereadinthesamewayasaROMor	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
M29W800DT70ZE6E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：48-TFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TFBGA	MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司	Micron
M29W800DT70ZE6F TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：48-TFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TFBGA	MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司	Micron

产品属性

产品编号：
M29W800DT70ZE6E
制造商：
Micron Technology Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
8Mb（1M x 8，512K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
70ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-TFBGA
供应商器件封装：
48-TFBGA（6x8）
描述：
IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TFBGA

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