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M29W400DT45ZE6E	文件：291.03 Kbytes Page：38 Pages	4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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M29W400DT45ZE6E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：48-TFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TFBGA	MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司	Micron
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M29W400DT45ZE6T	文件：1.024089 Mbytes Page：48 Pages	4Mbit(512Kbx8or256Kbx16,bootblock)3VsupplyFlashmemory	NUMONYXNUMONYX 恒忆	NUMONYX
M29W400DT45ZE6T	文件：291.03 Kbytes Page：38 Pages	4Mbit(512Kbx8or256Kbx16,BootBlock)3VSupplyFlashMemory	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
M29W400DT45ZE6T	文件：449.98 Kbytes Page：48 Pages	4Mbit(512Kbx8or256Kbx16,bootblock)3VsupplyFlashmemory	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
M29W400DT45ZE6E
制造商：
Micron Technology Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
4Mb（512K x 8，256K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
45ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-TFBGA
供应商器件封装：
48-TFBGA（6x9）
描述：
IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TFBGA

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