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M29W256GH70N3E

Parallel NOR Flash Embedded Memory

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

M29W256GH70N3E

包装:托盘 封装/外壳:56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    M29W256GH70N3E

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    FLASH - NOR

  • 存储容量:

    256Mb(32M x 8,16M x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    70ns

  • 电压 - 供电:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    56-TSOP

  • 描述:

    IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP

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更多M29W256GH70N3供应商 更新时间2024-6-3 17:30:00