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M29W160EB90N6	文件：665.25 Kbytes Page：40 Pages	16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory SUMMARY DESCRIPTION The M29W160E is a 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16) non-volatile memory that can be read, erased and reprogrammed. These operations can be performed using a single low voltage (2.7 to 3.6V) supply. On power-up the memory defaults to its Read mode where it can be read in the same w 文件：665.25 Kbytes 页数：40 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
M29W160EB90N6	文件：1.03193 Mbytes Page：40 Pages	16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory 文件：1.03193 Mbytes 页数：40 Pages	NUMONYX	NUMONYX
M29W160EB90N6	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP	Micron Technology Inc.	Micron Technology Inc.
M29W160EB90N6E	文件：665.25 Kbytes Page：40 Pages	16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory SUMMARY DESCRIPTION The M29W160E is a 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16) non-volatile memory that can be read, erased and reprogrammed. These operations can be performed using a single low voltage (2.7 to 3.6V) supply. On power-up the memory defaults to its Read mode where it can be read in the same w 文件：665.25 Kbytes 页数：40 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
M29W160EB90N6F	文件：665.25 Kbytes Page：40 Pages	16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory SUMMARY DESCRIPTION The M29W160E is a 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16) non-volatile memory that can be read, erased and reprogrammed. These operations can be performed using a single low voltage (2.7 to 3.6V) supply. On power-up the memory defaults to its Read mode where it can be read in the same w 文件：665.25 Kbytes 页数：40 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
M29W160EB90N6T	文件：665.25 Kbytes Page：40 Pages	16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory SUMMARY DESCRIPTION The M29W160E is a 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16) non-volatile memory that can be read, erased and reprogrammed. These operations can be performed using a single low voltage (2.7 to 3.6V) supply. On power-up the memory defaults to its Read mode where it can be read in the same w 文件：665.25 Kbytes 页数：40 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
M29W160EB90N6E	文件：1.03193 Mbytes Page：40 Pages	16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory 文件：1.03193 Mbytes 页数：40 Pages	NUMONYX	NUMONYX
M29W160EB90N6F	文件：1.03193 Mbytes Page：40 Pages	16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory 文件：1.03193 Mbytes 页数：40 Pages	NUMONYX	NUMONYX
M29W160EB90N6T	文件：1.03193 Mbytes Page：40 Pages	16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory 文件：1.03193 Mbytes 页数：40 Pages	NUMONYX	NUMONYX

产品属性

产品编号：
M29W160EB90N6
制造商：
Micron Technology Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
16Mb（2M x 8，1M x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
90ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商器件封装：
48-TSOP
描述：
IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市腾亿芯科技有限公司	M29W160EB90N6	ST/意法	25+	TSOP	198589	原装,请咨询	询价
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更多M29W160EB90N6供应商更新时间2025-12-24 11:18:00

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