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M29W160EB70N6E	文件：665.25 Kbytes Page：40 Pages	16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory SUMMARYDESCRIPTION TheM29W160Eisa16Mbit(2Mbx8or1Mbx16)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply.Onpower-upthememorydefaultstoitsReadmodewhereitcanbereadinthesamew	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
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M29W160EB70N6E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP	MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司
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M29W160EB70N6F	文件：665.25 Kbytes Page：40 Pages	16Mbit(2Mbx8or1Mbx16,BootBlock)3VSupplyFlashMemory SUMMARYDESCRIPTION TheM29W160Eisa16Mbit(2Mbx8or1Mbx16)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply.Onpower-upthememorydefaultstoitsReadmodewhereitcanbereadinthesamew	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
M29W160EB70N6T	文件：1.03193 Mbytes Page：40 Pages	16Mbit(2Mbx8or1Mbx16,BootBlock)3VSupplyFlashMemory	NUMONYXNUMONYX 恒忆
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产品属性

产品编号：
M29W160EB70N6E
制造商：
Micron Technology Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
16Mb（2M x 8，1M x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
70ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商器件封装：
48-TSOP
描述：
IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP

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