订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
首页>M29W064FB6AZA6E>芯片详情
M29W064FB6AZA6E 集成电路(IC)存储器 MICRON/镁光
- 详细信息
- 规格书下载
原厂料号:M29W064FB6AZA6E品牌:micron(镁光)
M29W064FB6AZA6E是集成电路(IC) > 存储器。制造商micron(镁光)/Micron Technology Inc.生产封装TFBGA-48(6x8)/48-TFBGA的M29W064FB6AZA6E存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-Wire。
产品属性
- 类型
描述
- 产品编号:
M29W064FB6AZA6E
- 制造商:
Micron Technology Inc.
- 类别:
- 包装:
托盘
- 存储器类型:
非易失
- 存储器格式:
闪存
- 技术:
FLASH - NOR
- 存储容量:
64Mb(8M x 8,4M x 16)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
60ns
- 电压 - 供电:
2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
48-TFBGA
- 供应商器件封装:
48-TFBGA(6x8)
- 描述:
IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA
供应商
- 企业:
深圳中芯器材有限公司
- 商铺:
- 联系人:
李小姐/文小姐
- 手机:
13600196139
- 询价:
- 电话:
0755-8254197 /0755-23903959
- 传真:
0755-83352412
- 地址:
深圳市福田区华强北上步工业区101栋西座520
相近型号
- M29W040B90NZ6T
- M29W064FB70N3F
- M29W040B90NZ6F
- M29W064FB70N3FTR
- M29W040B90NZ6E
- M29W064FB70N6
- M29W040B90NZ6
- M29W064FT6AZA6E
- M29W040B90NZ1T
- M29W064FT6AZA6F
- M29W040B90NZ1F
- M29W064FT6AZA6FTR
- M29W040B90NZ1E
- M29W064FT70N3
- M29W040B90NZ1
- M29W064FT70N3E
- M29W040B90N6T
- M29W064FT70N3F
- M29W040B90N6IC
- M29W064FT70N3FTR
- M29W040B-90N6F
- M29W080A90M6
- M29W040B90N6F
- M29W080A-90N1
- M29W040B90N6E
- M29W080A-90N1E
- M29W040B-90N6
- M29W080A-90N1F
- M29W040B90N6
- M29W080AB-120N6
- M29W080DT-70N6
- M29W040B90N1T
- M29W080N-5
- M29W040B90N1F
- M29W1028B
- M29W040B90N1E
- M29W1028B-70N1
- M29W040B-90N1
- M29W102B70N1
- M29W040B90N1
- M29W102BB
- M29W040B90KS
- M29W102BB50N1
- M29W040B-90KI
- M29W102BB-50N1
- M29W102BB-50N1E
- M29W102BB70
- M29W040B90K6T
- M29W102BB70N1
- M29W040B90K6MP