M29F800FB55M3E2_集成电路（IC）存储器-美光科技

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厂家型号：
M29F800FB55M3E2
制造商：
ELPIDA/美光科技
库存数量：
0
类别：
集成电路（IC）存储器
封装外壳：
44-SOIC（0.496"，12.60mm 宽）
包装：
托盘
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2025-8-4 16:23:00

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原厂料号：M29F800FB55M3E2品牌：Micron Technology Inc.

资料说明：IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO

M29F800FB55M3E2是集成电路（IC） > 存储器。制造商ELPIDA/美光科技生产封装44-SOIC（0.496"，12.60mm 宽）的M29F800FB55M3E2存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

芯片型号：
m29f800fb55m3e2
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
ELPIDA【美光科技】详情
厂商全称：
Elpida Memory
中文名称：
美光科技股份有限公司
资料说明：
IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO

产品属性

类型
描述
产品编号：
M29F800FB55M3E2
制造商：
Micron Technology Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
8Mb（1M x 8，512K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
55ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
44-SOIC（0.496"，12.60mm 宽）
供应商器件封装：
44-SO
描述：
IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO

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M29F800FB55M3E2

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